AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaNGaNHEMT电流崩塌效应的影响.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 96 ## ’$$% ## ， ， ， +D/ 596 2D 5 ## 2DWK?BKR ’$$% （ ） #$$$7’:$’$$%96 ## 6’7%$( .;4. ,3TUV;. UV2V;. ’$$% ;C@H 5 ,CSG 5 UDM 5 !#$% 表面坑状缺陷及#$% 缓冲层位错缺陷对 !#$% #$% ’()* 电流崩塌效应的影响! ! 席光义 任 凡 郝智彪 汪 莱 李洪涛 江 洋 赵 维 韩彦军 罗 毅 （清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室 清华大学信息科学与技术国家实验室，北京 ） #$$$% （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ’$$% # ’ ’$$% ( ( 利用金属有机气相外延（ ）技术生长了具有不同 表面坑状缺陷和 缓冲层位错缺陷密度的 )*+,- ./012 012 高电子迁移率晶体管（ ）样品，并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响 栅延 ./012 012 3-)4 5 迟测试表明， 表面坑状缺陷会引起栅延迟电流崩塌效应和源漏电阻的增加，而且表面坑状缺陷越多，栅延迟 ./012 电流崩塌程度和源漏电阻的增加越明显 漏延迟测试显示， 表面坑状缺陷对漏延迟电流崩塌影响不大，而 5 ./012 缓冲层位错缺陷主要影响漏延迟电流崩塌 研究结果表明， 表面坑状缺陷和 缓冲层位错缺陷分别是 012 5 ./012 012 引起./012 012 3-)4 栅、漏延迟电流崩塌的电子陷阱来源之一5 关键词： ，电流崩塌，坑状缺陷，位错缺陷 ./012 012 3-)4 ： ， ， +!,, 67($8 6’%$- (#6$ ［］ 迟和漏延迟电流崩塌的主要原因6 5 +KFJRS 等人认 #N 引 言 为表面态俘获电子形成虚栅从而导致了电流崩塌效 ［］ 应% 5 另外，在关于电流崩塌效应的文献报道中，针 由于./012 012 异质结二维电子气密度高，加 对