中国海洋大学信号与信息处理专业考研初试模拟电子技术.pptVIP

模拟电子技术基础 第一讲 常用半导体器件 1、概述 2、杂质半导体与PN结 3、半导体二极管 4、晶体管 5、场效应管 6、本章重难点总结 一、模拟电子技术基础概述 重点章节：第二章 基本放大电路 第三章 多级放大电路 第六章 放大电路中的反馈 第七章 信号的运算和处理 学习方法：理解基本原理，不能死记电路图 和公式 第1章 常用半导体器件 一、杂质半导体与PN结 1、在本征半导体中掺入不同杂质就形成N型半导体与P型半导体（掺入五价元素形成N型半导体；掺入三价元素形成P型半导体）。 2、半导体中有两种载流子：自由电子和空穴；载流子有两种有序的运动：因浓度差而产生的运动称为扩散运动，因电位差而产生的运动称为漂移运动。 3、将两种杂质半导体制作在同一个硅片（或锗片）上，在它们的交界面处扩散运动和漂移运动达到动态平衡，从而形成PN结。 第1章 常用半导体器件 二、半导体二极管 1、PN结经封装并引出电极后就构成二极管。二极管加正向电压时产生扩散电流，电流与电压成指数关系；加反向电压时产生漂移电流，其数值很小体现出单向导电性。 2、特殊二极管：利用PN结击穿时的特性制成的稳压二极管在电路中的应用。 第1章 常用半导体器件 三、晶体管 晶体管三个工作区域区分： ①NPN型：UBE≤UON：截止区； UBE≥UON时：UBE＜UCE时，放大区； UBE＞UCE时，饱和区； ②放大区： NPN型：Uc＞Ub＞Ue＞0; PNP型： Uc＜Ub＜Ue＜0 第1章 常用半导体器件 四、场效应管 总结三个工作区域区分例如： ①Ugs＜ Ugs(th)：夹断区； Ugs＞ Ugs(th)时开启：Uds= Ugs- Ugs(th)时，可变电阻区； Uds＞Ugs- Ugs(th)时，恒流区。 ②结型：恒流区：N沟道：UGS＜0，UDS＞0； P沟道：UGS＞0，UDS＜0； ③绝缘栅型：恒流区： N沟道：增强型： UGS＞0，UDS＞0； 耗尽型：UGS＞ UGS(off)(UGS(off) ＜0), UDS＞0; P沟道： 增强型：UGS＜0，UDS＜0； 耗尽型：UGS＜UGS(off)(UGS(off) ＞0), UDS＜0; 重点与难点分析 1、PN结单向导电性、反向击穿性、温度特性、电容效应。 2、特殊二极管加正向、反向电压时表现出的外部特性，稳压二极管的接法及在电路中的应用。 3、晶体管、场效应管的三个工作区域区分及工作条件。 第二讲 基本放大电路 1、放大的概念和主要性能指标 2、基本共射放大电路的工作原理 3、放大电路的分析方法 4、放大电路静态工作点的稳定 5、三种基本接法 6、场效应管放大电路 第2章 基本放大电路 一、放大的概念和主要性能指标 1、放大的概念和本质 2、放大电路的组成及性能指标 静态性能指标主要是指静态工作点； 动态性能指标主要有： ⑴输入电阻Ri ⑵输出电阻Ro ⑶放大倍数或增益 ⑷最大不失真输出电压Uom 第2章 基本放大电路 二、基本共射放大电路的工作原理 1、基本共射放大电路的组成及各元件的作用 2、设置静态工作点的必要性 设置静态工作点的目的 设置静态工作点的原理 3、基本共射放大电路的电压放大作用 4、放大电路的组成原则 5、两种常见的放大电路 第2章 基本放大电路 三、放大电路的分析方法 1、图解法 截止失真 饱和失真 2、等效电路法 先直流分析，再交流分析 直流通路和交流等效电路的画法 第2章 基本放大电路 四、放大电路静态工作点的稳定 1、静态工作点稳定的必要性 温度对放大电路的影响 2、典型的静态工作点稳定电路 稳定静态工作点的两种方法 第2章 基本放大电路 五、晶体管放大电路的三种基本接法 1、三种接法的区分及各自的突出特点 2、三种接法的比较 第2章 基本放大电路 六、场效应管放大电路 1、场效应管的三个电极与晶体管相对应 2、场效应管也有三种接法 本章重难点总结 1、晶体管三种接法的分析方法及区别。 2、静态