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半导体的基本知识（1学时） 二极管（1.5学时） 三极管（1.5学时） 1-4 稳 压 二 极 管 稳压管是一种特殊的二极管， 其伏安特性与普通二极管的差异： （1）反向特性曲线较陡 （2）反向击穿是可逆的（工作于反向击穿区） 一、稳压管简介 U I/mA -IZM -IZ ΔIZ ΔUZ –UZ 二、主要参数 1、稳定电压 稳压管稳定工作时 管子两端的电压值 U I/mA -IZM -IZ ΔIZ ΔUZ –UZ UZ + + UZ 3、动态电阻 2、电压温度系数 温度每变化1oC时电压变化的 百分数，表明稳压管的温度稳定性 U I/mA IZM IZ ΔIZ ΔUZ –UZ 5、最大稳定电流 4、稳定电流 6、最大耗散功率PZM= UZ IZM 稳压管稳定工作时流过的 参考电流值，实际电流值 应略大于这个值 稳压管允许通过的最大电流 U I/mA IZM IZ ΔIZ ΔUZ –UZ 三、含稳压二极管电路的分析方法 (1)含一个稳压管的电路，先求出其阳阴两极的开路电压UO + UZ DZ 当UO 0 时同普通二极管 当 –UzUO 0 时反向截止U= UO 当 UO –Uz 时反向击穿 U= –Uz U I/mA -IZM -IZ ΔIZ ΔUZ –UZ 限流电阻 例1：已知UZ=5V， D=0.6V，求U0=？ ①U=10V；②U= –10V；③U=4V ?解: (1)当U=10V时， UDO= –10V，稳压管反向击穿， U0= UZ=5V + UZ 例1：已知UZ=5V， D=0.6V，求U0=？ ①U=10V；②U= –10V；③U=4V 当U= – 10V时，稳压管正向导通， U0= – UD= – 0.6V 当U=4V时，稳压管UDO= –4V反向截止， U0= 4V ①??? U=10V；②??? U= – 10V；③??? U=4V 例2：已知UZ=5V， D=0.6V，求U0=？ 解：首先分析BO支路的电流。只可能出现两种情形： 1、有电流，则两个稳压管一个反向击穿，一个正向导通 2、没有电流，则两个稳压管均截止。 1、当U=10V时，令O点电位为零，假设2个稳压管 均截止，则VA 0.5V，则DZ1反向击穿， VA=5V, DZ2正向导通 U0= UZ + UD =5.6V ①??? U=10V；②??? U= – 10V；③??? U=4V 例2：已知UZ=5V， D=0.6V，求U0=？ 假设2个二极管均截止，则VA 0.5V， DZ2反向击穿， VA= 5V， DZ1正向导通 U0= –UZ – UD = – 5.6V （2）当U= – 10V时，设B点电位为零， U0= 4V 当U=4V时，很显然DZ1反向截止，DZ2也截止 如何求A点电位 半导体的基本知识（1学时） 二极管（1.5学时） 三极管（1.5学时） 1-5 半 导 体 三 极 管（Transistor） 三极管—— 通过特定工艺将两个PN结结合在一起构成的器件 三极管种类： 高频管 低频管 按频 率分 大功率管 中功率管 小功率管 按功 率分 PNP型 NPN型 按结构 不同分 硅管 锗管 按半导体 材料分 1.5.1 三极管的基本结构 按两个PN结组合方式的不同， 三极管有NPN和PNP两种型号 当前国内生产的硅晶体管多为NPN型（3D系列）； 锗晶体管多为PNP型（3A系列）。 B C E T NPN型 B C E B C E T PNP型 B C E 三个导电区域： 中间层：很薄、掺杂少（基区） 上层：集电区 下层：发射区 其中发射区的掺杂浓度高于集电区 发射区与基区交界处的PN结——发射结 集电区与基区交界处的PN结——集电结 从三个区引出的电极—— C（ 集电极Collect ）、B（基极Base ）、E（发射极Emit ） B C E T NPN型 B C E 1.5.2 电流放大原理 共发射极电路接法 EB：发射结正偏 EC：集电结反偏 （EC EB） c区：收集电子 B C E RB EB RC EC N N P e区：发射电子 b区：电子的扩散、复合 B C RB EB RC EC N N P 电流放大的机理： （1）E区的多数载流子（电子）向B区扩散，同时从电源补充进电子，从而形成发射极电流 IE （2）在B区，扩散来的电子少部分与B区的空穴相复合，大部分继续向集电结扩散 E B C E RB EB RC EC N N P 电子不断涌进基区，只能从基极电源EB正端不断地补充空穴，其效果等同于从基