第7章薄膜工艺_6.pdf

第7章 薄膜工艺 IC芯片的制作过程实际上就是在硅衬 底上多次反复进行薄膜形成、光刻、掺杂 等加工。大多数薄膜形成是通过淀积方式 在衬底上形成薄膜，硅氧化生长的SiO2薄 膜是硅材料本身同氧气进行化学反应而成， 硅的外延则是一种特殊的薄膜工艺，它只 能在硅的单晶上生长硅的薄膜。 本章内容 淀积的方法有两类：物理淀积与化学 7.1 蒸发 淀积。真空蒸发、溅射、分子束外延等属 7.2 溅射 于物理淀积，利用化学反应过程的生长方 7.3 化学气相淀积（CVD ） 法称为化学淀积。化学淀积分液相淀积与 7.4 外延 气相淀积，电镀就是液相淀积。 7.5 其它薄膜生长方式 7.6 金属化工艺 7.1 蒸发 蒸发的过程是在 硅圆片 真空条件下，把蒸发 的材料加热熔化，从 淀积材料 坩埚 早期半导 固体变成液体，再变 放气阀 成气体。淀积的速率 真空腔 体工艺的金属 同该材料的蒸汽压有 层全由蒸发的 关，不同的材料其蒸 方式淀积。 冷阱 汽压不同。为了得到 扩 机械泵 散 合适的淀积速率，一 泵 般要求蒸汽压至少应 初级抽气泵 常用材料的蒸气压 为10mTorr。 三种坩埚加热方式 三种坩埚加热方式 淀积材料 源棒（放在灯丝里面） 加热灯丝