半导体物理第九章.pdfVIP

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2017-10-07 发布于湖北
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半导体物理第九章.pdf

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半导体物理第九章

第九章异质结前言：有两种不同的半导体单晶材料组成的结称为异质结。异质结与同质结的最大区别在于：由于成结的两种半导体材料具有不同的禁带宽度，而出现特殊的结区能带结构和特性。学习内容：异质结能带结构；异质结的主要应用 1 2007-12-5 异质结能带图 2007-12-5 2 异质结分类 1. 反型异质结 (p)Ge-(n)GaAs ，(p)Ge-(n)Si ，(p)Si- (n)GaAs ，(p)Si-(n)ZnS等等； 2. 同型异质结 (n)Ge-(n)GaAs ，(p)Ge-(p)GaAs ，(n)Ge- (n)Si ，(n)Si-(n)GaAs等等；注：通常将禁带宽度小的材料写前面； 1. 突变异质结（过渡发生于几个原子距离） 2. 缓变异质结（过渡发生于几个扩散长度） 3 2007-12-5 突变反型异质结 Vacuum level qVD χGaAs WGe χGe E cp ΔE E c WGaAs cn EFn qVD1 E vn E ΔEv qVD2 Fp E vp E 4 2007-12-5 接触后界面处能带图的特征界面两侧： E E E F F 1 F 2 界面处： ΔE , ΔE 接触前后不变，故出现能带突变 c v ΔE χ =−χ c 1 2 ( ) (χ χ ) ΔE E =−E − −