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2017-09-28 发布于湖北
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章节第一章引言第二章半导体器件物理基础第三章 MOS FET 基本结构和原理第四章短沟道MOS 器件第五章存储器件基础（不挥发挥发）第六章功率器件第七章 SOI 结构和SOI CMOS 器件第八章金属-半导体接触和MESFET Dr. P.-F. Wang Advanced semiconductor devices and physics 2014.11 Fudan University 章节 功率器件简介及基本原理  Power MOSFET  IGBT 功率器件的外围/终端保护设计 异质结简介及基本原理  异质结的应用 Dr. P.-F. Wang Advanced semiconductor devices and physics 2014.11 Fudan University 功率器件种类整流二极管快速恢复二极管FRD 双极型晶体管达林顿晶体管晶闸管双向晶闸管相控晶闸管快速晶闸管功率半导体器件平面MOSFET MOSFET 场效应场效应沟槽沟槽MOSFETMOSFET IGBT(PT-NPT-FS) 肖特基肖特基二极管接口电路集成电路集成电路功率集成电路电压调制器 Dr. P.-F. Wang 电源管理芯片 Advanced semiconductor devices and physics 2014.11 Fudan University 3 MOSFET市场概况美国 14.27 日本