第二篇电路图基础.pptVIP

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2017-10-03 发布于北京
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第二篇电路图基础.ppt

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第二章电路图基础读图及复习 N沟道增强型MOS管 P沟道增强型MOS管与管子对应的结构示意图 Gate Source Drain Substrate 新名词：沟道宽度W和沟道长度L l 晶体管的长度（沟道的长度） w 晶体管的宽度（沟道的宽度） um的概念复习：N沟道增强型MOS管的工作原理复习：N沟道增强型MOS管的工作原理通常将开始形成反型层所需的VGS值称为开启电压，用VGS(th)表示。开启电压取决于场效应管的工艺参数。SiO2绝缘层越薄，N+区的掺杂浓度越高，衬底掺杂浓度越低， VGS(th) 就越小复习：P沟道增强型MOS管的工作原理本书的符号 P6，7，8 CMOS反向器 CMOS与非门 CMOS或非门复杂逻辑门画版图的方法 1、层次化画法 16个晶体管 2、合并，形成新的晶体管级描述 8个晶体管 CMOS传输门单晶和多晶按照原子在整个晶体内的排列形式不同，晶体分成单晶体和多晶体两种。单晶是指在整个晶体内原子都是周期性的规则排列多晶是指在晶体内每个局部区域里原子是周期性的规则排列，但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同因此多晶体也可看成是由许多取向不同的小单晶体（又称晶粒）组成的。 SiO2 石英玻璃透明集成电路的物理结构截面图剖面图互连线的电阻互连线的电阻互连线的电容绝缘氧化层的厚度Tox 绝缘氧化层的介电常数εox 电容存在于任意两个在电气上被分开的导体之间互连线的电容绝缘氧化层的厚度Tox 绝缘氧化层的介电常数εox 对于互连线来说，连线导体是通过二氧化硅玻璃绝缘层与半导体衬底绝缘的 Rs代表上表面边长为W X W的方形区域的电阻。 “每方Ω” * * G D S G D S 0 1 *