开机前检查厂务温湿度及排气标准值为温度℃以下奈材中心.DOCVIP

國立清華大學奈微與材料科技中心 化學輔助氣相沈積 操作手冊 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 機台管理者:郭文鳳 (實驗室:工三館228室分機:42291 一.使用前檢查 (一)開機前檢查廠務溫溼度及排氣。 (二).打開冰水機電源開關檢查浮球水位位置。 (三).檢查控制SiH4的氣動閥 紅燈亮(氣動閥OFF 綠燈亮(氣動閥(ON 如遇到廠務停電，基本上氣動閥要重新啟動。 (四).檢查機台後方二次面盤氣體壓力特氣鋼瓶區(N2ONH3及S-16 SIH4二次壓力及管路檢查。 二．機台開機程序 (一).打開Main power Heating power Computer( ON (二).執行桌面上程式CA19程式，輸入帳號密碼一般使用者帳號為abc 密碼為123接著執行ENTER (三)點選MAIN Buttom進入至手動畫面如圖 (四)用滑鼠選取Vaccum Control 將Manual反綠，選擇所要鍍膜的Chamber A/B 注意: ChamberA沈積 SiO2和SiNx ChamberB沈積a-Si 抽真空:接著將DP圖式由紅變綠，按下RVA抽腔體壓力至20-30mtorr (五)破真空:將RVA關掉(反紅)N2 Valve啟動(反綠)，執行破腔體真空 注意:破真空最好執行3次N2 Purge，以免吸入Chamber內製程殘氣 (六)執行手動製程 待Chamber A/B內壓力抽至20-30mtorr且TEMP_A啟動 ON (可在方框欄位更改所設定之溫度基本上溫度設定為350度C) 接著輸入製程流量(sccm)、壓力(mtorr)、RF Power(W)，待製程壓力穩定後，啟動RFＯＮ，製程時間(依厚度需求而有所不同) (七)自動模式 (一)離開手動畫面，進入至畫面選單，點選Recipe按鈕，進入至下一畫面，點選下拉式選單..例如選取pre-Sio2接著輸入宓碼0000 (二)分別解釋程式內容如下: (三)BP(基準壓力，若腔體未抽達基準壓力，會Hold在抽真空狀況，直到真空壓力達到設定的基準值才執行後續製程。 Step1 step2-- (四)Pre/Mold設定為0/1所代表什麼意思?0(位置控制 1(壓力控制 (五)RF(本機台不可以超過300W的功率使用 (六)若STEP run完有預設數值9999會維持在高真空，若無此設定run完後會自動破到大氣壓力 (七)程式設定無誤後記得將檔案Save和Load，接著離開修此程式設定畫面，點選按鈕process接著載入程式按start，畫面會出現紀錄檔案名稱，依規定名稱一律用當天日期來設定clean30min 關機程序: 回到手動膜式將RVA(OFF(反紅)接著將DP(OFF(反紅)接著按EXIT回到畫面選單接著選Login再按exit回到桌面。 將電腦Shut down、Main power OFF、 Heating power OFF 、冰水機(OFF 二面面盤 valve off N2(GN2 PN2 N2槍) 注意 1:若電漿在點的過程發現DCV未有讀值，麻煩請先將壓力調高至500mtorr再執行一次，若還是未仍將plasma點起，麻煩通知助理 2.在手動清Chamber，石英盤易碎請小心拿取，蓋住Chamber時石英盤請小心不用讓Chamber敲到。 3.機台在300w功率之下操作，不宜時間過長(勿開10min以上)以免RF燒壞 4. 機台二次面盤調壓Valve勿動鋼瓶源頭端及管線勿動 Main Power Heating power Computer Power