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半导体制造技术
半导体制造技术
第三章
第三章
物理淀积
物理淀积
光电子技术实验室 1
3.1 物理真空镀膜
• 真空镀膜
• 真空溅射和蒸发
光电子技术实验室 2
3.2 真空溅射镀膜
• 真空溅射镀膜:就是使在电场中加速的
正离子轰击靶的表面,靶表面的原子、
分子在与这些高能离子交换动量后从靶
表面飞溅出来。如果在靶的附近放置适
当的基片,则从靶表面溅出的原子、分
子便会淀积在基片表面形成薄膜。
光电子技术实验室 3
3.2.1 辉光放电基本理论
光电子技术实验室 4
• 阴极区
• 在真空度为1-10Pa的真空室中,
当两个电极之间加上直流高压时
,便产生辉光放电。由于冷阴极
发射的电子只有1eV左右的能量,
它不会与气体发生反应,因此在
阴极附近形成阿斯顿暗区。随着
电子在电场中的加速,使气体分
子激发,产生辉光,这就是阴极
辉光。电子再加速,就会使气体
分子电离,从而产生大量的离子
和低速电子,由于这个区域几乎
不发光,又称克鲁克斯暗区。
光电子技术实验室 5
光电子技术实验室 6
法拉第暗区
光电子技术实验室 7
正柱区
光电子技术实验室 8
阳极区
光电子技术实验室
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