1956年诺贝尔物理学奖晶体管的发明.doc

1956年诺贝尔物理学奖——晶体管的发明 1956年诺贝尔物理学奖授予美国加利福尼亚州景山（MountainView）贝克曼仪器公司半导体实验室的肖克利（William Shockley，1910—1989）、美国伊利诺斯州乌尔班那伊利诺斯大学的巴丁（JohnBardeen，1908—1991）和美国纽约州缪勒海尔（Murray Hill）贝尔电话实验室的布拉坦（Walter Brattain，1902—1987），以表彰他们对半导体的研究和晶体管效应的发现。 晶体管的发明是20世纪中叶科学技术领域有划时代意义的一件大事。由于晶体管比电子管有体积小、耗电省、寿命长、易固化等优点，它的诞生使电子学发生了根本性的变革，它拨快了自动化和信息化的步伐，从而对人类社会的经济和文化产生了不可估量的影响。 应该指出，晶体管效应的发现是科学家长期探索的结晶，更是基础研究引向应用开发的必然成果。半导体的研究可以追溯到19世纪，例如，1833年法拉第曾经观察过某些化合物（例如硫化银）电阻具有负温度系数。这是半导体效应的先声。1874年，布劳恩（F.Braun）注意到金属和硫化物接触时有整流特性，而1876年亚当斯（W.G.Adams）等人发现光生电动势。1883年，弗利兹（C.E.Fritts）制成第一个实用的硒整流器。无线电报出现后，矿石作为检波器被广泛应用，主要成分是硫化铜，后来用上了硅和锗。氧化铜整流器和硒光电池的商品化，要求科学家深入研究有关现象的实质和原理。 1926年，索末菲用费米-狄拉克统计解释了金属中电子的行为。他的学生布洛赫（F.Bloch）研究晶体点阵对电子运动的影响，提出在周期性势场中电子占据的能级可能形成能带。1931年A.H.威耳逊（A.H.Wilson）进一步对固体提出量子力学模型，用能带理论解释导体、绝缘体和半导体的行为特征，其中包括半导体电阻的负温度系数和光电导现象。后来，他又提出杂质能级概念，对掺杂半导体的导电机理作出了说明。能带理论的提出是固体物理学的一大飞跃，但它还不能解释半导体的整流特性和光生电动势等表面现象。1939年莫特（N.F.Mott）和肖特基（W.Schottky）各自独立地提出可以解释阻挡层整流的扩散理论。后来，赛兹（F.Seitz）和巴丁继续用能带理论研究电子和点阵的相互作用，逐渐形成半导体物理学。与此同时，由于低温技术和真空技术的发展，半导体各种性质的实验研究得到加强。区域熔炼，掺杂控制等工艺的出现使得半导体器件的制备成为可能。然而，如果没有贝尔实验室有远见的集体攻关，晶体管发明的历史也许会是另一个样子，信息时代的到来也许要推迟若干年。 贝尔实验室创建于1925年，它隶属于美国电话电报公司（AT＆T）及其子公司西方电器公司，后来几经并转，发展成为“全美最大的制造发明工厂”。1987年职工人数21000人，其中专家3400人，研究经费20亿美元，是世界最大的由企业经办的科学实验室之一，历年来发明了有声电影（1926年）、电动计算机（1937年）、晶体管（1947年）、激光器（1960年），发现电子衍射（1927年）和宇宙微波背景辐射（1965年）等等，先后有多位科学家获诺贝尔物理学奖。 贝尔实验室视基础研究为战略需要，而基础研究面向实际应用，和开展新技术紧密结合，使支持它的企业以技术领先在世界上立于不败之地。正是这一方针，导致晶体管不是在别的地方，而是在这个一贯重视半导体研究的贝尔实验室问世。 1945年夏，一项以半导体材料为主要内容的固体物理学研究任务在贝尔实验室确定了下来。1946年1月，正式成立固体物理研究组，其宗旨就是要对固体物理学进行深入探讨，从而指导半导体器件的研制。正如巴丁在诺贝尔奖演说词中说的：“这项研究计划的总目标是想在原子理论的基础上（而不是凭经验），对半导体现象获得尽可能完整的理解。” 1946年在贝尔实验室成立了固体物理研究组，最初的成员共有七位专家。组长肖克利是半导体物理学理论家，他1910年2月13日出生于英国伦敦，1932年在加州理工学院毕业，后转麻省理工学院，1936年得博士学位，同年进入贝尔实验室。副组长是摩根（S.Morgan）。另外还有半导体专家皮耳逊（G.L.Pearson），实验物理学家布拉坦。布拉坦1902年2月10日出生于中国厦门，1920年进威尔曼学院，1929年获明尼苏达大学物理学博士学位，同年进入贝尔电话实验室，从1931年起就致力于半导体研究，主要是研制氧化铜整流器。他希望能用固体器件代替真空管，曾多次作过尝试。1942年至1944年在哥伦比亚大学作战研究组工作，这时回到了贝尔实验室。巴丁也是这个小组的成员，他是一位出色的固体物理学家，1908年5月23日出生于美国威斯康星州，1928年以电气工程师学位毕业于威斯康星大学，1929年获硕士学