电路抗老化设计中基于门优先的关键门定位方法-微电子学.PDFVIP

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2017-09-04 发布于天津
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电路抗老化设计中基于门优先的关键门定位方法-微电子学.PDF

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电路抗老化设计中基于门优先的关键门定位方法-微电子学

第卷第期微电子学 , 47 2 Vol.47 No.2 年月 2017 4 Microelectronics A r.2017 p 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 ·模型与算法 · 电路抗老化设计中基于门优先的关键门定位方法 1 2 2 2 2 , , , , 范磊梁华国易茂祥朱炯郑旭光 ( , ; 1.合肥工业大学计算机与信息学院合肥 230009 , ) 2.合肥工业大学电子科学与应用物理学院合肥 230009 : , , 摘要随着工艺尺寸不断缩小尤其在及以下的工艺中负偏置温度不 CMOS 65nm CMOS ( ) 。稳定性 NBTI已经成为影响 CMOS器件可靠性的关键因素提出了一种基于门优先的关键门定 , , , 位方法它基于NBTI的静态时序分析框架以电路中老化严重的路径集合内的逻辑门为优先同 , 。时考虑了门与路径间的相关性以共同定位关键门在 45nmCMOS工艺下对 ISCAS基准电路 , : , , 进行实验结果表明与同类方法比较在相同实验环境的条件下该方法不仅定位关键门的数量更 , , 。少而且对关键路径的时延改善率更高有效地减少了设计开销 : ; ; ; 关键词负偏置温度不稳定性关键门抗老化静态时序分析中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN432 A 1004-3365201702-0258-06 AMethodtoIdentifCriticalGatesb Prioritizin LoicGatesUnder y y g g CircuitAnti-Ain Desin