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特殊脚位的MOS管: 4816 G1 G2 4816 4816 G1 G2 S2 D2/S1 D1 4818 D2 D2 D2 S1 G1 S2 G2 4818 G1 MOS管构成的开关电路及其等效电路 uGS＜开启电压UT：MOS管工作在截止区，漏源电流iDS基本为0，输出电压uDS≈UDD，MOS管处于“断开”状态，其等效电路如图 (b)所示。 uGS＞开启电压UT：MOS管工作在导通区，漏源电流iDS=UDD/(RD+rDS)。其中，rDS为MOS管导通时的漏源电阻。如果rDS＜＜RD，则输出电压uDS≈0V，MOS管处于“接通”状态，其等效电路如图 (c)所示。  MOS管的工作特性: N沟道导通条件: UG US 典型应用电路 16V 输入 控制信号5V 输出16V Q1为P沟道,导通条件: UG US. 故要使VC输出16V,必须有VA VB; Q2为N沟道MOS管,导通条件为 UG US. 当Q2导通时, VA VB,故Q1也导通,VC输出16V, 当Q2截止时, VA = VB,故Q2也截止,VC无输出. VA VB VC Q1 主板上其他电压控制器: 6脚中功率MOS管,用在分组供电单元电路,控制3.3V,5V,2.5V,1,8V等是否给负载供电. FDC655N P 沟道 N沟道 我帮你笔记本维修培训基地 我帮你笔记本维修培训基地 我帮你笔记本维修培训基地 我帮你笔记本维修培训基地 我帮你笔记本维修培训基地 我帮你笔记本维修培训基地 我帮你笔记本维修培训基地 我帮你笔记本维修培训基地 我帮你笔记本维修培训基地 我帮你笔记本维修培训基地 我帮你笔记本维修培训基地 我帮你笔记本维修培训基地 主要内容：MOS管原理与控制方式  教学目的：学会分析MOS管在电路上的作用 MOS管在电路的代换原则 场 效 应 管 与三极管的电流控制不同，场效应管则是一种电压控制器件，它是利用电场效应来控制其电流的大小，从而实现放大。场效应管工作时，内部参与导电的只有多子一种载流子，因此又称为单极性器件。 根据结构不同，场效应管分为两大类，结型场效应管和绝缘栅型场效应管（又叫MOS管）。工作原理大同一样，在笔记本电路中只有采用绝缘栅型场效应管，所以我们就对绝缘栅型场效应管讲解。 绝缘栅场效应管 绝缘栅场效应管是由金属（Metal）、氧化物（Oxide）和半导体（Semiconductor）材料构成的，因此又叫MOS管。 绝缘栅场效应管分为增强型和耗尽型两种，每一种又包括N沟道和P沟道两种类型。在实际笔记本电路中，只有采用增强型MOS。 N沟道: 黑笔接D极 红笔接S极,阻值在4~600之间;其他各脚正反测阻值都为1(∞); P沟道: 红笔接D极,黑笔接S极,阻值在4~600之间;其他各脚正反测阻值都为1(∞); （1）结构与符号 以N沟道增强型MOS管为例，它是以P型半导体作为衬底，用半导体工艺技术制作两个高浓度的N型区，两个N型区分别引出一个金属电极，作为MOS管的源极S和漏极D；在P形衬底的表面生长一层很薄的SiO2绝缘层，绝缘层上引出一个金属电极称为MOS管的栅极G。B为从衬底引出的金属电极，一般工作时衬底与源极相连。下图所示为N沟道增强型MOS管的结构与符号。 N沟道增强型MOS管的结构与符号 符号中的箭头表示从P区（衬底）指向N区（N沟道），虚线表示增强型。 （3）主要参数 ① 开启电压（Ut） ② 饱和漏极电流IDSS ③ 直流输入电阻（RGS） ④ 最大耗散功率（PDM） ⑤ 低频跨导（gm） ⑥ 漏源击穿电压（U（BR）DS） ⑦ 栅源击穿电压（U（BR）GS） （2）N沟道增强型MOS管的工作原理 如下图所示，在栅极G和源极S之间加电压UGS，漏极D和源极S之间加电压UDS，衬底B与源极S相连。 N沟道增强型MOS管加栅源电压UGS 形成导电沟道所需要的最小栅源电压UGS，称为开启电压UT。 （3）特性曲线 ① 输出特性（漏极特性）曲线 N沟道增强型MOS管的输出特性曲线 2.耗尽型绝缘栅场效应管 （1）结构、符号与工作原理 N沟道耗尽型MOS管的结构与符号 （2）特性曲线 N沟道耗尽型MOS管的输出特性曲线和转移特性曲线 耗尽型MOS管工作时，其栅源电压UGS可以为0，也可以取正值或负值，这个特点使其在应用中具有更大的灵活性。 3.选用场效应管应注意的事项 （1）选用场效应管时，不能超过其极限参数。 （2）结