第五章 存储器与存储系统.pptVIP

存储器和存储系统;主要内容;5-1 半导体存储器分类 ;1．RAM的种类 ;1)．双极型RAM;2)．MOS RAM;(1)SRAM (静态RAM);(2)DRAM (动态RAM);(3)Non Volatile RAM;2.只读存储器ROM;1).掩膜ROM;2).可编程的只读存储器PROM;3)可擦除的EPROM;4).电可擦除的PROM ;5)快速擦写存储器Flash Memory;Flash?Memory阅读材料 Flash?Memory介绍????Flash?Memory的标准物理结构，称之为基本位（cell），其特色为一般MOS的闸极（Gate）和信道的间隔为氧化层之绝缘（gate?oxide），而Flash?Memory在控制闸（Control?gate）与信道间却多了一层物质，称之为浮闸（floating?gate）。拜多了这层浮闸之赐，使得Flash?Memory可以完成三种基本操作模式，亦即读（一个byte或word）、写（一个byte或word）、抹除（一个或多个内存空间），就算在不提供电源给内存的环境下，也能透过此浮闸，来保存资料的完整性。????由于浮闸的物理特性与结构，使得当浮闸被注入负电子时，此一cell就由数字”1”被写成”0”，相对的，当负电子从浮闸中移走后，此一cell就由数字”0”变成”1”，此过程称之为抹除。目前产业界有许多将负电子注入浮闸或移除技术的探讨，其中热电子注入法（hot-electron?injection），是当源极（source）接地，控制闸的电压大于汲极（Drain）的电压时，浮闸与信道间氧化层的能量带会变得很狭隘，因此在信道中的负电子会被加速自信道上跳到浮闸中，进而完成写的动作。同样的原理可以运用在抹除的功能上，当控制闸接地且source接至一个高压时，浮闸上的负电子将会自浮闸中拉至source，进而完成抹除的动作。Flash?Memory就是透过这种负电子存放或移除于浮闸的原理，使得本身具有重复读写的特性。????Flash的种类：????根据内存晶体管设计架构之不同可分为Cell?Type以及Operation?Type两种，Cell?Type又可分为Self-Aligned?Gate（Stack?Gate）以及Split?gate两种，前者以Intel为代表，后者则被Toshiba、SST（硅碟）等厂商所采用；至于Operation?Type，依据功能别又可区分为Code?Flash（储存程序代码）以及Data?Flash（储存一般资料），Code?Flash动作方式有NOR及DINOR两种，而Data?Flash动作方式则有NAND及AND两种，其中Code?Flash主要以NOR型为主，储存系统程序代码及小量资料，多半应用于PC、通讯行动电话、PDA、STB等产品上；而Data?Flash则是以NAND型为主，用于储存大量资料，主要应用范围包括DSC、MP3等所需要的各式规格的小型记忆卡。 1、FLASH是某公司起的一个名字，代表的意思是快速读写的意思。而EEPROM是电可擦定的意思，FLASH?MEMORY也可叫EEPROM，亦可说FLASH?属于EEPROM类的ROM。2、FLASH?不能字节擦除，只能块擦除。3、有的FLASH?写的电压不是5V?是12V或14V??EEPROM?是5V读写 /doc/0/88/88717.shtml--多年媳妇熬成婆 Flash终于撑起半边天 ;3．选择存储器件的考虑因素;5-2 RAM;1.静态RAM;SRAM六管基本存储电路;静态RAM的结构;SRAM 外围电路;SRAM 外围电路;SRAM芯片实例;6116;6264掉电保护;2.动态RAM;动态RAM的存储单元(单管动态存储电路);Intel 2164A;Intel 2164A;地址译码;双译码（复合译码）结构;;4. 8086与存储器的连接;1).CPU与存储器连接时应注意的问题;2).存储器片选信号的产生方式和译码电路;(1)片选信号的产生方式;(1)片选信号的产生方式;(1)片选信号的产生方式;(2)．存储地址译码电路;74LS138;采用Intel2114 1K×4位的芯片，构成一个4KB RAM系统;;;;1).线选方式;;;;2).局部译码选择方式;;全局译码选择方式;;;;例: 设计一RAM扩展电路，容量为32K字，地址从10000H开始。芯??采用62256。 ;解： a、计算所需要的芯片个数 32K×16=64K ×8 64 K ×8/(32 K×8)=2(片) ;b、确定CS电路;c、偶片、奇片CS的产生;d、电路 ;e、总结 8086CPU EPROM DB7…0 D7…0 (偶片) DB15…8 D