第五章存储器和接口.pptVIP

第 五 章 存储器及其接口; 学习目标;5.1 半导体存储器简介;5.1.2 半导体存储器的分类:;;ROM种类 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除 ;半导体存储器的指标 存储容量 存取时间 功耗 可靠性 微型计算机内存的通常结构 存储体 存储器芯片的主要部分，用来存储信息 地址译码电路 根据输入的地址编码来选中芯片内某个存储单元 片选和读写控制逻辑 选中存储芯片，控制读写操作 ;5.2 读写存储器RAM;2.典型RAM芯片举例 静态RAM Intel 2114 1K×4的SRAM，1024个字,数据线4条，地址线10 根。 ;3、动态基本存储电路;4、动态RAM典型芯片 动态Intel 4114 16K×1的RAM，用7根复用地址线分两批传送14位地址。 动态Intel 2164A 64K×1的RAM，用8根复用地址线。分两批传送16位地址 ;5.2.2 RAM结构;1）存储体 一个基本存储电路只能存储一个二进制位。 将基本的存储电路有规则地组织起来，就是存储体。 存储体又有不同的组织形式： 将各个字的同一位组织在一个芯片中，如：8118 16K*1（DRAM） 将各个字的 4位 组织在一个芯片中， 如：2114 1K*4 （SRAM） 将各个字的 8位 组织在一个芯片中， 如：6116 2K*8 （SRAM）。 2) 外围控制电路 地址译码器 I/O电路 片选控制端CS 输出缓冲器等;3）地址译码方式 单译码方式 双译码方式;4）一个实际静态RAM的例子;存储地址译码电路 74LS138经常用来作为存储器的译码电路。 ;表 74LS138的真值 ;5.2.3 存储器地址译码方法;5.2.3 存储器地址译码：线选法举例;5.2.3存储器地址译码：全译码法举例;3)部分译码 例5－3:用8K的RAM芯片，组成32K 的RAM系统,CPU寻址空间64K(16条地址线).;5.3 存储器与CPU的接口设计;5.3.2 RAM与CPU的连接 1.CPU 总线的负载能力 一个存储器系统，通常由多片存储器芯片组成,需加驱动器。 2.CPU 的时序与存储器的存取速度之间的配合问题 首先要弄清楚CPU的操作时序 然后，选择满足CPU操作时序的存储器芯片，其中最重要的是存储器的存取速度。 3.存储器的地址分配与片选问题 4.存储芯片的选用;5.3.2 ：1KB RAM连接;5.3.3 静态随机存储器（SRAM）;例5－5: 用1k*4 的片子 2114 组成 2k*8 的存储器，控制信号:访存信号IO/M与读写信号WR. 需 4 个芯片 地址线—— 211=2048）需 11 根 (片内 10 根，片选 1 根） 数据线—— 8 根 控制线—— IO/ M 和 WR; 若要将存储器地址布置在2400H开始的的单元,片选信号如何接线? 分析: A15 A14 A13A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 0 0 1 0 0 1 0 0 0000 0000 1 1 1111 1111 第一组地址:2400H~27FFH,译码器输出的第11个信号作片选 0 0 1 0 1 0 0 0 0000 0000 1 1 1111 1111 第二组地址:2800H~2BFFH ,译码器输出的第12个信号作片选 ;5.3.4 只读存储器（E