偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响 effect of bias on total dose effect of optical couplers.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响 effect of bias on total dose effect of optical couplers.pdf

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偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响 effect of bias on total dose effect of optical couplers

EffectofBiasonTotalDoseEffectofOpticalCouplers HEYujuanLUOHongweiENYunfei 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.05.007 偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响何玉娟罗宏伟恩云飞电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室，广州510610 摘要：通过对不同偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响进行研究，结果发现随着总剂量的增加，光耦合器电流转换率CTR会降低60％～ 80％，且输入低电流时光耦合器总剂量辐照损伤更严重，其原因可能是输入低电流时光耦合器内部发光二极管辐照过程中更容易产生非发光陷阱所致。可靠性；辐照；总剂量；光耦合器；偏置条件 TN306 A 1005-9490(2011)05-0511-03 国家微电子预研项目(51308040403) 2011-06-07 2011-06-28 化层经总剂量毫 @@[1] TakagaT,NodaJ.Gamma-RayIrradiationEffectsinLight-Emitting DiodesandPhotodiodesforFiberOptics[J].IEEETrans.Nucl. Sci.,1985,32(6):4453-4456. @@[2] MetzenWT,HawthomeRA,KilianWT.Radiation-HardenedPho totransistors[J].IEEETrans.Nucl.Sci.,1991,38(6) :1323-1327. @@[3] TomashukAL,GolantKM,DianovEM,etal.Radiation-Induced AbsorptionandLuminescenceinSpeciallyHardenedlarge-Core SilicaOpticalFibers[J].IEEETrans.Nucl.Sci.,2000,37(3): 693-699. @@[4] ENYunfei,HEYujuan,LUOHongwei,etal.TheIrradiationEffect ofDC-DCPowerConverterunderX-Ray[C]//IEEEAPCCAS08. 2008,Macau:1537-1541. @@[5] HEYujuan,ENYunfei,LuoHongwei,etal.TheIrradiationEffect andFailureAnalusisofDC-DCPowerConverter[C]//IEEE IPFA09.2009,Suzhou,China:385-387. @@[6] ChenMing,LuoHongwei,ZhangZhengxuan,etal.IonizingDose EffectofThermalOxidesImplantedwithSi+Ions[J].Chinese PhysicsLetters,24(6),2007:1775-1777. @@[7] ZhangEnxia,EnYunfei,LuoHongwei,etal.AStudyontheTotal- DoseResponseforModifiedSilicon-on-InsulatorMaterialswiththe Pseudo-MOSMethod[J].SemiconductorScienceandTechnology, 2006,21(3):287290. @@[8] HEYu-juan，LUOHong-wei，ENYun-fei,etal.SOI器件X射线与60 Coγ射线总剂量效应比较[J].电子器件，2010，33(4)：416-419. 何玉娟（1981-），女，工程师，汉族，籍贯江