偏栅alxga1-xngan hemt的二维模拟与特性分析 2d simulation and analysis of offset gate alxga1-xngan hemt.pdfVIP

下载本文档

3
0
约 5页
2017-08-22 发布于上海
举报
版权申诉

偏栅alxga1-xngan hemt的二维模拟与特性分析 2d simulation and analysis of offset gate alxga1-xngan hemt.pdf

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

偏栅alxga1-xngan hemt的二维模拟与特性分析 2d simulation and analysis of offset gate alxga1-xngan hemt

第27卷第2期固体电子学研究与进展 V01．27，No．2 2007年5月 OFSSE May，2007 RESEARCHPROGRESS 偏栅Al工Gal一xN／GaN 薛丽君1 刘明1 王燕2 杩龙2 鲁净2 谢常青1 夏洋1 (1中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室，北京，100029) (2清华大学微电子研究所，北京，100084) 2005一09—16收稿，2005—12一16收改稿摘要：采用泊松方程一薛定谔方程一流体力学方程组自洽求解的方法，对偏栅A1GaN／GaNHEMT器件的电学特性进行了二维模拟。通过与传统正栅器件的模拟结果对比分析，可以看出，偏栅结构除了可以提高器件的击穿电压外，还可以提高直流输出电流和跨导，对输出特性和转移特性均有一定的提高。关键词：铝镓氮／氮化镓高电子迁移率晶体管；泊松方程；薛定谔方程；流体力学方程；二维模拟；偏栅中图分类号：TN313+．2；TN402文献标识码：A 文章编号：1000一3819(2007)02—181一05 2DSimuIationand ofoffsetGate HEMT Analysis AIJGa卜xN／GaN XUE LIU WANGYan2MA LU XIE XIA Lijunl Min91 Lon92 Jin92 Changqin91Yan91 N0ue￡De口ices QL西．ofNa札。一如b“cntion盘札d ImegrationTechnozogy，I札s“tHteof Microezectr0讲cs，CAS，B函jing，100Q29，CHN) Microezect，．o，矗cs CIns“t乩teof ofTsinghMaUni褂ersjty，Bej缸扎g，1Q0084，CHN) this two—dimensionaloffset HEMTissimulated Abstract：In A1GaN／GaN by paper，a gate the self—consistently equations．Compared s01ving devicewiththesamematerial thenumericalresults withconventionalmiddle structure， gate thattheoffset devicemanifestitself DCsaturationcurrentandthetransconduc— show gate high thatthisdevicestructurehasfa— tancebesidesthe breakdownItisconcluded improved