模拟电路mosfet晶体管失配研究模型和参数 study on mosfet mismatch in analog circuits models and parameters.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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模拟电路mosfet晶体管失配研究模型和参数 study on mosfet mismatch in analog circuits models and parameters

第31卷第2期固体电子学研究与进展 V01．31，N0．2 2011年4月 RESEARCH＆PROGRESSOFSSE Apr．，2011 模拟电路MOSFET晶体管失配研究：模型和参数吕伟锋hz+孙玲玲2 (1浙江大学超大规模集成电路设计研究所，杭州，310027) (2杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室，杭州，310018) 20lo-04—26收稿，2010一08—26收改稿摘要：MOSFET晶体管的精确匹配对模拟和混合集成电路最终性能至关重要，因此漏电流失配方差或标准差大小的计算伴随着MOSFET器件特征尺寸的减小一直不断地发展和演进。针对模拟集成电路设计中MOSFET漏电流失配，围绕模型和参数选取这一核心问题进行回顾、分析和总结，并说明其应用。同时研究其必威体育精装版的进展情况及面临的问题，最后提出了解决失配问题的部分思路。关键词：失配；模型；工艺波动中图分类号：TN386文献标识码：A 文章编号：1000·3819(2011)02一0124一06 onMOSFET in Mismatch Circuits： Study Analog ModelsandParameters LU SUN Weifen91’2Linglin92 (1J雅“if“地∥矿￡SJ眈s喀咒，烈叫口挖g Un向邮幻，胁肛^伽，310027，CHⅣ) RF (2尺掣厶6．D，肘跏缸删o，Ed“fn咖挖marc钟加彻d跏f蝴s，日口挖g柚甜，310018，CHⅣ) transistors’sexactmatchiscrucialfor of andmixed Abstract：MOSFET performanceanalog circuits．SothemismatchcalculationofVarianceorstandarddeviationfordraincurrent integrated hasbeen and associatedwiththefeaturesize ofMOSFET constantlydevelopingevolving scaling device．This dealswiththe and ofsuch as papermainly review，analysissummarykeyproblems modelsand in calculationfor IC Also involvedMOSFETmismatch parameters analogdesign． their latest facedarestudied． someideastosolVethem changes，theprogress，problems Finally isproposed． Key variation