面向三维集成封装的硅通孔电特性分析 analysis of electrical characteristics of through silicon via in 3d integration.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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面向三维集成封装的硅通孔电特性分析 analysis of electrical characteristics of through silicon via in 3d integration.pdf

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面向三维集成封装的硅通孔电特性分析 analysis of electrical characteristics of through silicon via in 3d integration

第3期中I鼋雹；舛譬研宪阪罾椒 Vo1．7No．3 2012年 6月 JournalofCAEIT Jun．2012 面向三维集成封装的硅通孑L电特性分析贺翔，曹群生 (南京航空航天大学电子信息工程学院，南京 210016) 摘要：主要针对三维集成封装中的关键技术之一的硅通孔互连技术进行电性能研究。首先简要介绍了硅通孔互连技术的背景，利用三维全波电磁仿真软件建立地．信号一地 TSV模型，对其 TDR 阻抗和时域TDR／TDT信号进行分析，同时仿真分析了TSV互连线及介质基板所使用的材料和 TSV半径、高度、绝缘层厚度等物理尺寸对三维封装中TSV信号传输性能的影响。研究结果可为工程设计提供有力的技术参考，有效地用于改善互连网络的s，，提高三维集成电路系统的性能。关键词：硅通孔；三维集成；TDR／TDT；时域；物理尺寸；电导率；信号传输性能中图分类号：TN702 文献标识码：A 文章编号：1673—5692(2012)03．302-05 AnalysisofElectricalCharacteristicsofThroughSiliconVia in 3D Integration HEXiang，CAOQun-sheng (CollegeofElectronicandInforrmtionEngineeringNanjingUniversityofAeronauticsandAstronautics，Nanjing210016，China) Abstract：Theelectricalcharacteristicsofthroughsiliconvias(TSVs)interconnecttechnology，whiche— mergedasoneofthekeytechnologiesin3D integrationpackage，areanalyzed．BriefbackgroundofTSV technologyisgiven．Then，a2一tierground—signal—groundTSV (GSG—TSV)isinvestigatedintimedomain and~equencydomainusing3D fullwavefieldsolver．AndtheTDR impedanceisshownaswellasTDR／ TDT signals．Atlast，theimpactofphysicalconfigurationsandmaterialsonTSV electricalperformanceis evaluatedandanalyzed in details．From thesepreliminaryresults，S21inanetwork couldbeimproved andtheperfomr anceof3D circuitsandsystemswouldbeenhanced． Keywords：TSV ；3D integration；TDR／TDT；timedomain；physicalconfigurations；conductivity；elec— tricalperfomr ance 多级集成、改善性能和降低功耗等问题 J。硅通孔 0 引言技术极大地提高了集成度，推动工业界向 “延续摩尔定律(MoreMoore)”和 “超越摩尔定律(MoreT