六角形超结vdmos器件的终端结构设计 design of the termination for hexagonal superjunction vdmos.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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六角形超结vdmos器件的终端结构设计 design of the termination for hexagonal superjunction vdmos.pdf

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六角形超结vdmos器件的终端结构设计 design of the termination for hexagonal superjunction vdmos

No．4 第33卷第4期电子器件 V01．33 Chinese ofElectronDe“_ 2010年8月 Journal Aug．2010 oftheTerminationfor VDMOS Design HexagonalSuperjunction SUN Jill，SUN Huafang+，riNGWeifeng+ ASIC ResearchCenter (Nutional5：p细nEngineering Southeast曲l沁H谚，Nanjing210096，China) structurefor termination Abstract：Antermination VDMOSdevicesis edge hexagonalsuperjunction proposed．The structureisalso issimilarwiththeactivecell thatthewidthofthe andN- hexagonal，which arrayexcept P-pillar arebothhalfoftheactivecell．Theinfluencesofthenumberofthe onthesurfaceelectricfielddis- pillar P—pillars tributionandthebreakdownarediscussedindetail．Thesimulationresultsshowthatthebreakdown voltage voltage ofthe terminationstructureismorethan600VandtheavalanchebreakdownOCCUI8inthetransitionre— presented betweentheactivecell andthe termination． gion array edge Keywords：terminationtechnique；hexagonallattice；superjunction EEACC：2530：2560 doi：10．3969／j．issn．1005—9490．2010．04．002 六角形超结VDMOS器件的终端结构设计孙华芳+，荆吉利，孙伟锋+ (东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，南京210096) 摘要：为六角形超结VDMOS器件提出了一种结终端结构，该终端结构采用与有源区相似的六角形品格结构，但P柱和N 柱的宽度均为有源区原胞晶格的一半。重点讨论了P柱的数量对表面电场的分布及击穿电压等的影响，模拟结果证实该终端结构的击穿电压大于600V，击穿点发生在终端与有源区之间的过渡区。关键词：功率器件；终端技术；六角形品格；超结文献标识码：A 中图分类号：TN312．4；TN386．1 在大力发展节约能源，动态控制，噪音减少等技进行了研究，设计了600V