硫化的激光器腔面上溅射zns钝化膜的研究 research on zns passivating film with magnetron sputtering on sulfureted laser cavity surfaces.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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硫化的激光器腔面上溅射zns钝化膜的研究 research on zns passivating film with magnetron sputtering on sulfureted laser cavity surfaces.pdf

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硫化的激光器腔面上溅射zns钝化膜的研究 research on zns passivating film with magnetron sputtering on sulfureted laser cavity surfaces

巍电子·徽将第19卷第1期2008年1月Journalof V01．19No．1Jan．2007 Optoelectronics·Laser 硫化的激光器腔面上溅射ZIN钝化膜的研究* 刘春玲1’弘。，王春武2，么艳平1，薄报学1 (1．长春理工大学高功率半导体激光器国家重点实验室，吉林长春130022；2．吉林师范大学信息技术学院，吉林四平136000) 摘要：提出了一种新的激光器腔面钝化方法。先用(NI-h)2S溶液硫化解理后的激光器腔面，然后使用磁控溅射方法对激光器的前腔面镀ZnS钝化膜、后腔面镀si／si02高反射膜。ZnS钝化层光学厚度为A／4，在中心波长为 808 nm处透过率可达95．5％。钝化前激光器的光学灾变损伤(COD)阈值为1．6W，钝化后为2．0W，提高了 25％倍；未镀膜的激光器阈值电流为0．25A，经硫化再镀ZnS后阈值电流为0．20A，降低了20％。实验结果表明，经硫化后溅射ZnS对激光器腔面具有良好的钝化和增透效果。关键词：半导体激光器；光学灾变损伤(c0D)；钝化；硫化；ZnS 中图分类号：TN248．4文献标识码：A 文章编号：1005—0086(2008)01—0014-03 ResearchonZnS filmwith onsulfuretedlaser passivating magnetronsputtering cavity surfaces LIU Chun-wu2，YAO Bao-xuel Chun-lin91’2一，WANG Yan-pin91，130 of Semiconductor ofScienceand (1．StateLaboratoryHi曲Power Lasers，ChangchunUniversity Technology， Key ofInformation8L Normal 136000， 130022，China University，JilinSiping Changchun 2．College R9Knology，Jilin Chiha) of is front of Abstract：Anew semiconductorlaser surfaces is，the cavitysurfaces passivationtechnology cavity proposed，that film theback surfaces laser thataresulfureted arecoatedwithZnS magnetron cavity chips by(NI-h)2S by sputtering，and filmis Tis are si／si(hHRfilms．ThethicknessofZnS x／4。whosetransrnissi