硫化温度对snxsy薄膜光电性能的影响 influence of sulfurization temperature on optoelectric properties of snxsy thin films.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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硫化温度对snxsy薄膜光电性能的影响 influence of sulfurization temperature on optoelectric properties of snxsy thin films

第28卷第5期电子元件与材料 V01．28No，5 2009 2009年5月 ELECTRoNICCoMPoNENTSANDMATERIALS May 硫化温度对Sn／S)，性能的影响赖松林，程树英，彭少朋 (福州大学物理与信息工程学院，福建福州350108) 摘要：用真空热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层Sn薄膜，分别在硫化温度为210，240和270℃的条件下硫化 45min．研究了硫化温度对薄膜样品光学和电学性能的影响．结果显示：随着硫化温度的升高，其电阻率减小；但薄膜导电类型不受硫化温度的影响，都为P型．当磁，f匕温度为240℃时，薄膜为斜方SnS多晶薄膜，沿{111)方向优 eV，先生长，其均匀性和致密性以及对基片的附着力都较好，薄膜粒径为200～800nm，薄膜的直接能带问隙为1．46 电阻率为25．54Q·cm．关键词：SnxS，薄膜；硫化温度；光学性能；电学性能 doi：10．3969巧．issn．1001—2028．2009．05．020 中图分类号：TN304文献标识码：A 文章编号：1001-2028(2009)05—0065-04 of on Influencesulfurization temperatureoptoelectricproperties of films SnxS,thin LAI Songlin，CHENGShuying，PENGShaopeng andInformation University,Fuzhou350108，China) (CollegeofPh，rsits Engineering,Fuzhou thin on substrates filmswere ina thatSn filmswere way firstlyvacuum-depositedglass Abstract：Sn§，thinprepared at thermal andthentheobtainedSnthinfilmswerevulcanizedfor45min210，240or270℃．The through evaporation and atdifferent were resultsshow electrical ofthefilmsvulcanized that, optical properties temperaturesinvestigated．The with