面向硅片清洗技术的高浓度臭氧产生装置 high concentration ozone generator being geared to the needs of cleaning technology for silicon wafer.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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面向硅片清洗技术的高浓度臭氧产生装置 high concentration ozone generator being geared to the needs of cleaning technology for silicon wafer

鱼— — 翥基团面向硅片清洗技术的高浓度臭氧产生装置白敏荡，冷宏2,3，李超群，。 (1．大连海事大学环境工程研究所，辽宁大连 116026； 2．大连大学环境与化学工程学院，辽宁大连 116622； 3．大连博羽环保技术开发有限公司，辽宁大连 116026) 摘要：近来特大规模集成电路研发与生产的快速进展，硅片表面清洗至关重要。因此大连海事大学环境工程研究所采用强电离放电方法 (折合电场强度达到 380Td，电子具有平均能量达到 9ev)研发成功国内首台具有知识产权 dhOg型系列高浓度臭氧产生器，其臭氧浓度达到 240mg／L 该装置具有自动化水平高，能耗低、体积小、高性价比等特点，并阐述了该装置的技术先进性及其技术指标。关键词：臭氧：硅片清洗：强电离放电；性价比中图分类号：TN305 文献标识码：A 文章编号：1004．4507(2011)07—0014—03 High ConcentrationOzoneGeneratorBeinggearedtothe NeedsofCleaningTechnologyforSiliconW afer BAIMindi，LENG Hong，LIChaoqun f1．InstituteofEnvironmentalEngineering，DalianMaritimeUniversity，Dalian116026，LiaoningProvince，China； 2．CollegeofEnviromentalandChemicalEngineering，DalianUniversity，Dalian，116622，LiaoningProvince，China； 3．DalianBoyuEnviromentalTechnologyCorporation，Dalian116026，LiaoningProvince，China) Abstract：W ith therapid developmentofresearch，development，andmanufactureon super—large scale integration， Silicon wafer surface cleaning isvery important．Therefore Dalian M aritime UniversityEnvironmentEngineeringInstituteusestrongionizationdischargemethod (equivalentto 380Td，electronicelectricfieldintensitywithaverageenergy9eV)successfullydevelopedthefirst domesticsetsdhO3gtypeseriesofhigh concentrationozonegeneratorwith intellecutalprope~．The ozone concentrationsreach 240mg／L．This device hasthe high automation level， low eneryg consumption， smallvolume，cost．effective，and expounds the characteristicsofthe 叩paratus technologyadvancedandtechnicalindexes． Keywords：Ozone；Siliconcleaning：thes~ongionizationdischarge~cost—effective 收稿日期：2011-05—24 基金项目：国家863项目(2008AA06Z317)；国家自然科学基金项目