流量对高速沉积的微晶硅电池性能的影响 influence of total gas flow rate on the characters of high rate deposited microcrystalline silicon solar cells.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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流量对高速沉积的微晶硅电池性能的影响 influence of total gas flow rate on the characters of high rate deposited microcrystalline silicon solar cells

光电手·澈W 第18卷第9期2007年9月 Journal V01．18No9 Sep．2007 oy∞toelectronics·Laser ·光电子器件和系统· 流量对高速沉积的微晶硅电池性能的影响” 郭群超一，韩晓艳，孙建，魏长春，王辉，陈飞，张晓丹，赵颖，耿新华 (南开大学光电于薄膜器件与技术研究所，光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室，光电信息技术科学教育部重点实验室，天津300(171) 摘要：采用超高频等离子体增强化学气相沉弗l(VHFPECVD)技术研究微晶硅(“cSD薄膜的高速沉积过程发有明显的差异。通过微压R加强n、』泉，力显微镜(AFM)和x射线衍射(xRD)测试发现：尽管／ucSi薄膜的晶化率相似，但是小流量情况r制备的薄膜具有较厚的非晶孵化层，晶粒兄寸不一；大流量下制各的材料枯生长方向的纵向均匀性相对较好，晶粒尺0较小、分布均匀，而且具有220品相峰强度高于(1111和(3I晶相峰强度的特点。浏此得山：存高压高速沉积／,c_Si薄膜过程中，反应气体流量对“e-Si的纵向结构有很大影响．选择适合的压应气流量能够调节适宜的气体滞留时间，从而减小薄膜的纵向不均匀件。关键词：反应气体流量；高速沉积；微晶硅(}tc-Si)太阳电池；超高频中图分类号：叫84．1 文献标识码：A 文童编号2007)09—1017(m lnnllenctjof1btalGasHowRateontheCharactersof DepositedMicrocrys— I丑曲Rate Solar tallineSiliconCells GUOchao‘’，HAN Hut，CHENFei， Qun Xiac’yan，SUNJian，WEIChang-chun，WANG ZItANGXiao-dan，ZHAOXinhua Ying，GENG ThinHlmDe (1nstiluteofPhotoelectroMcslhinFnmDevicesand ofPhotoelectroifics qichnique．KeyLaboratory vicesand of of InformationScienceand ofEMC， LaboratoryOvtoelectronlc 7lhehnology TechniqueTianjin．Key NankaiI 300071，China) JnivershyTianjin mlarcells enhanced Abstract!Itifoundinthe rate silicon very plasma high depositionnicroerysndline hy higIvfrequency