镁流量对mocvd生长的p型gan薄膜特性的影响 influence of mg flow rate on the properties of p-gan films.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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镁流量对mocvd生长的p型gan薄膜特性的影响 influence of mg flow rate on the properties of p-gan films

第卷第期固体电子学研究与进展 26 3 VOl. 26 NO. 3 年月 2006 S RESEARCH 8 PROGRESS OF SSE A . 2006 宽禁带半导体镁流量对生长的型薄膜特性的影响* MOCVD P GaN 牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫刑燕辉韩军邓军沈光地 (北京工业大学电控学院光电子技术实验室北京, ,100022) 2005-09-08 收稿,2005-11-11 收改稿摘要利用: 生长了不同流量的型样品研究了, 流量对生长的型薄膜 MOCVD Mg P GaN Mg MOCVD P GaN 的电学特性表面形貌及晶体质量的影响结果表明利用~ , 制备高质量的型薄膜, 流量应处于一 MOCVD P GaN Mg 个合适的范围,Mg 流量过低薄膜的空穴浓度低电学特性不好, , ;Mg 流量过高则会产生大量的缺陷晶体质量与, , 表面形貌变差,Mg 的活化率也降低并且自补偿效应更加严重最终使得空穴浓度降低电学特性变差将优化的, , , , 条件应用于蓝光发光管的外延生长并制备了器件在的注入电流下输出功率为正向压降反 , , 20 , 6.5 , 3 , mA mW V 向击穿电压为20 , V 关键词氮化镓掺杂金属有机物化学气相淀积: ; ; 中图分类号: 304 文献标识码: 文章编号:1000-3819(2006)03-375-04 TN A Influence of Mg flow rate on the Properties of P GaN films- NIU Nanhui WANG Huaibing LIU Jianping LIU Naixin XING Yanhui HAN Jun DENG Jun SHEN Guangdi ( n e o n or a on Be ng Un Uer y o Technology anc Be ng, Op oelec