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2017-08-22 发布于上海
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量子点光电子器件及其研究进展 progresses of quantum dot-based optoelectronic devices

第28卷第2期固体电子学研究与进展 V01．28，N0．2 2008年6月 0F Jun．，2008 RESEARCHPROGRESSSSE 量子点光电子器件及其研究进展。 ZHAOXinwei3“ 彭英才1’2“ 马蕾1 (1河北大学电子信息工程学院，河北，保定，071002) (2中国科学院半导体研究所，半导体材料科学重点实验室，北京，100083) of of (3DepartmentPhysics，TokyoUniversityScience，Tokyo，Japan) (4中国科学院微电子学研究所，纳米材料与纳米器件实验室，北京，100029) z006—09—30收稿．2006．11．16收改稿摘要：作为未来新型光电子器件的有源区材料，采用能带工程形成的各种半导体量子点，以其所具有的许多独特光电特性而日益显示出潜在的重要应用。着重评述了量子点激光器、量子点红外光探测器和量子点单光子发射器件在近3至5年内取得的必威体育精装版进展，并对存在的问题进行了分析和讨论。最后，提出了进一步改善器件性能的几种可能途径。关键词：能带工程；半导体量子点；光电子器件；光电子产业中图分类号：TN36文献标识码：A 文章编号：1000一3819(2008)02—235一06 of Dot岫ased Devices Quantum Progresses Optoelectronic PENG ZHAOXinwei3，‘MALeil Yingcail’2 Ezectronicnna QConegeof Inform4tionnl D，Se，竹icD，ldz‘cfDrMdferi口如口以d (2Ko’￡矗6Drdfo，y Scie，虻e，J疗站if“把。，SP，咒ifD，ld“ffDr，C-^i”￡5￡Af口如朋秒∥ Science，BPi声ng，100083，CiHⅣ) of QDepdnlemPbsics，ToboU试versi吟ofScience，Tok弦，JapQ心 Science，Bei弘ng，10QQ29，CHN) Semiconductordots Abstract： formed have quantum byenergy—bandengineeringpotential inthenovel devicesasanactive materialsbecauseoftheiru— applications optoelectronic region Inthis wereviewnew ofthe niqueoptoelectronicproperties． paper， progressesquantum—dot infrared