两步合金法制作p-gan高反电极 ohmic contacts of high reflective poles on p-gan using two-step anneal method.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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两步合金法制作p-gan高反电极 ohmic contacts of high reflective poles on p-gan using two-step anneal method.pdf

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两步合金法制作p-gan高反电极 ohmic contacts of high reflective poles on p-gan using two-step anneal method

辨电字·撒光 of V01．19No．7Jul．2008 第19卷第7期2008年7月 Joumal 0ptoeIectroni鹤·L嬲er 两步合金法制作PGaN高反电极郭德博’，梁萌，范曼宁，刘志强，王良臣，王国宏 (中国科学院半导体研究所，北京100083) 摘要：利用两步合金法获得了能与矿GaN形成良好欧姆接触的高反射电极。电极的构成采用透明电极+高反射金属方案，厚的Ag层或魁层覆盖在合金后的Ni／Au上以提高电极的反射率，以Pt和Au作为覆盖层，可有效地防止Ag的氧化和团聚，短时间的热处理有助于Ag基电极反射率的提高。可靠性测试表明Ag基电极的稳定性较好，对于伽基电极，热处理后反射镜上出现暗斑，导致其反射率的下降。最终获得了波长在460mn处反射率为74％的Ag基高反射电极。关键词：p型G{lN；欧姆接触；两步合金法；高反射电极中图分类号：TT、J312+．8文献标识码：A 文章编号：l005-0086(2008)07-0902一03 ‘)Ilmic咖tactsof method lIi曲衄ectivepol驾蚰矿GaN璐iI唱细俨鲕ep跚IneaI GU0 De-b0’，Up小好Meng，FanMam血19，UUZnqiang，WAN(；Liang-chen， W气r、晒Gu伊hong ofSerni∞nductorS，CKneseof 100083，(抽na) (IIlstitute Acad鲫yscieno鹤，Be巧ing a stableand o}m血00ntacton renectivernetal Aht髓d：WereportthetTmlly higMy础ecti、，e p-(hNusingh谵h oveday盯on of film are atKno菇dizedNi／Au o菇dation uTlder eliIllimtedintrodu— bilayer．，rko啷lomerate锄d Ag hght锄perature by 2hin contactsshowbetterthe啪l at450℃forN2ambi蜘t，Ag_based cillgPt／Auda拙ngla”魏觚era11neaIing stability the 011 isn】easuredtobeabout thanAHlased refl钟tanceof rIulltdayerp_GaN 74％at o瞻T}圯l螗ht Ni／Au／Ni／掣Pt／Au 460r】IIL anm旧1 renectivec0呲acts l曲ywords：p-(hN；DhJ面c00ntact；tw伊stepmethodIKgh 易团聚而且具有较好的粘附性，然而由于其功函数较低，不能 1 引言与p-GaN形成良好的欧姆接触，故而很难将其用于p型GaN