第4章 - 通用VLSI.pptVIP

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第4章 - 通用VLSI

第四章 通用VLSI电路的 设计与分析;;;§4-1 只读存贮器(ROM);§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-2 可编程ROM(PROM);§4-1-3 EPROM;§4-1-3 EPROM;§4-1-4 EEPROM;§4-1-4 EEPROM;§4-1-4 EEPROM;§4-1-4 EEPROM;§4-1-5 ROM的种类与特点;;§4-2-1 六管SRAM单元;§4-2-1 六管SRAM单元;§4-2-2 CMOS-SRAM;;§4-3-1 三管DRAM;§4-3-2 单管DRAM;§4-3-2 单管DRAM;§4-3-2 单管DRAM;§4-3-2 单管DRAM;;§4-4-1 门阵列;§4-4-1 门阵列;§4-4-1 门阵列;§4-4-2 可编程逻辑器件(PLD);PLD原理 PLD缓冲器 PLD阵列交叉点连接方式 硬线连接——交叉处标记为“?” 被编程单元——交叉处标记为“ⅹ” 被擦除单元——交叉处无标记;PLD原理 PLD与门;PLD原理 PLD或门;低密度PLD的主要类型;PROM结构;FPLA结构;PAL和GAL 基本阵列;§4-4-2 可编程逻辑器件(PLD);§4-4-2 可编程逻???器件(PLD);§4-4-2 可编程逻辑器件(PLD);现场可编程门阵列(FPGA) 高密度可编程逻辑器件 阵列由三部分组成 可配置逻辑模块CLB 输入/输出模块IOB 互连资源ICR ;图8-4-1 XC4000系列FPGA基本结构;§4-4-2 可编程逻辑器件(PLD);§4-4-2 可编程逻辑器件(PLD);PLD的设计过程;设计准备 选择系统方案 选择合适的器件 设计输入 原理图输入 硬件描述语言输入;设计处理 编译、适配 编程文件 设计校验 功能仿真 时序仿真 器件编程 数据配置

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