温度波动对pv型insb探测器响应特性的影响 influence of temperature fluctuations on response characteristic of pv-insb detector.pdfVIP

SEM ICONDUCTOR OPTOELECTR0NICS V0I．33No．4 Aug．2012 温度波动对 PV型 InSb探测器响应特性的影响 孙 静，杜立峰，张蓉竹 (四JII大学 电子信息学院。成都 610064) 摘 要 ： 对激光照射下光伏型锑化铟光电探测器的响应特性进行了研究，得到 了强激光辐照 下温度波动(低温和常温温度波动)对探测器响应特性的影响。利用材料 内部的光生电动势分析模 型，通过数值模拟，给出了理论上的激光辐照下主要参数对探测器输 出电压的影响。结果表明：输 出电压随着温度的上升而降低，饱和电压也随着温度 的上升而降低 。特别是低温与常温下的响应 特性有所不同，随着入射光功率的增大，低温下随温度变化的输 出电压变化量减小，常温下随温度 变化 的输 出电压 变化量增大 。 关键词 ： 光伏型光电探测器 ；InSb；温度波动；响应特性 中图分类号 ：TN215 文献标识码 ：A 文章编号 i1001—5868(2012)04一O478一O5 InfluenceofTemperatureFluctuationsonResponseCharacteristicofPV-InSbDetector SUN Jing，DU Lifeng，ZHANG Rongzhu (CollegeofElectronicsandInformationEngineering，SichuanUniversity，Chengdu610064，CHN) Abstract： TheresponseofPV—InSbdetectorunderlaserirradiationiSstudiedindetail，and theinfluenceoftemperaturefluctuationson theresponse characteristicofdetectorunderhigh powerlaserirradiationisobtained．Byusingthemathematicmodelofphoto-electromotiveforce， atheoreticalinfluenceofseveralmain parameterson outputvoltageunderlaserirradiation is given．Theresultsshow thatoutputvoltageand saturatedvoltagedecreasewith theincreaseof temperature．Therearesomedifferencesintheoutputvoltageunderlow temperatureandnormal temperature．Thevariationsofoutputvoltagecausedbythechangesoftemperaturedecreasewith theincreaseofincidentlightpower underlow temperaturebutincreasewith the increaseof incidentlightpowerundernormaltemperature． Keywords： PV photoelectricdetector；InSb；temperaturefluctuations；response 0 引言 敏度高、探测效率高等特点[1]，是一种 目前在 国际上 广泛应用的红外探测器。 目前关于光伏型 InSb探 随着光 电子技术 的发展，光电探测系统 的应用 测器的研究主要是集中在低温 (77K)下激光光源波 越来越广泛 ，其中红外探测系统由于环境适应性强、 长 、激光辐照功率密度、载流子寿命及温度对探测器 隐蔽性好、不易被干扰等特点，在军事和民用领域得 响应特性的影响[2]。但是在实际应用 中，探测器工 到了广泛的研究和应用。例如微