铜铟镓硒薄膜太阳电池的应力问题 stress in cigs thin film solar cell.pdfVIP

铜铟镓硒薄膜太阳电池的应力问题 李微u．Ⅻ*4一，≈彦＆1+目n，．乔在祥。．*i1 f 1中闻电于科拄集目公目第十八研究所化学与物理自蝉拄术重点宴骑亳女津300381 2天津大学材料科学与]。程学院．女律3(1007I，3南开大学信息技术科学学院光电于研究所X津30007 摘i：分析7GIGS女口电池的g＆力来自f单目唾中的沉积应力殛膜E界面间的相§*月。计算得出Mo薄膜与 GIGS薄膜界面晶格失鼍度量太．表明相对于其他界面，谴界面的应力值较大．面作为缓冲层的Cd$薄硅有效地改善T ＆收CIGS薄睦与窗口gZnO薄膜的界面应力。i对于垂性村底材料的Pl薄膜，如何解决目#较大的热晦胀$# 造成的热应力．祷成为目备高蛀曩性CIGS薄睦电渔的关键技术。 著键目：CIGs太阳电淹：薄膜：应力 中目分类{：T¨914．4文献标识码^ 女童编号：如02一呻7x(2011)04—042C-ff2 inCIGSthinfilmsolareelI Stress LIU ZHAOY蛐-min_|YAN Yun3 LIWei。j Xillg-Jiang ul_QIAO如1-xiangl，SUN Jn300351凸m8 orn㈣惴ri锄J f，NnliorMttKeyh¨m研ofPow日＆…Titan船c柚m 2＆^∞J 300071(■衲． or胁m自，＆J∞∞∞dE呐删姆T协Ⅱm曲J岍=咄T协，m 3』吲hkor^∞妇々wmThin Filmmv脚盘_】dT妯m岫H∞k口帅肿D虮Ti叫”360071凸脚J s吨ssof andIflter胁g”e铸 Abs‰t：T}lere自duSI so|arc哪lineludi『19 3tresswas明a畹edintheCIGS eachlair The b哟群t a，ldZnOfilmme $11essTheCdSinnfilmcould吲啪ellee帅e¨廿leint州aces”嘲dCIGS脚n keyt∞-hnologv CIGS forimpm删帅r喝nceoftie,hieSOlⅢ,∞¨峨h洲to一咄廿Iem删螂whichCaLlSed时mehigh m㈥alDam●∞coefficientofPlsubstmiB s0Iar∞¨thinmm：dn鹤 KeywOrds：ClGS CIGS薄膜^阳电池自于成本低．教率高，肆定性好(正衰应力。自由状态T多B膜界面之同的相互作用力完全由多层畦 退)等优点被认为是具有竞争力和发展前速的光执器件。CIGS的变形来平衡．那4基底与多层膜平衡直力可表示为4q： 薄膜太阳电池其肯Mo／CIG洲驯-ZnO／AIZnO／A]，Ni的多 !丝i+!生(生r。+生k1+ 层结掏．涉臣蒸发、溅射、化学带等多种制备技术”1对于结构 6 d月3R、^“^… 和T艺如此复杂的C1GS薄膜太阳电池，薄膜应力大、附着山 f宰k6j+阜％B；)十牟(，‘+，8)=0 差的问题非常突m+特别足在秉性村底电池巾更为岍显。薄噗 ^ ^ 口， 应力直接影响若CIGS太阳电池的转换教率和器件的成品率，