自组织GaN小岛的InGaN／GaN量子阱白光发射.PDF

第 卷 第 期 ， ４０ 　 ４ 中 国 激 光 Ｖｏｌ．４０ Ｎｏ．４ 　 　 　 年 月 ， ２０１３ ４ Ａ ｒｉｌ ２０１３ ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＡＳＥＲＳ ｐ 　 　 　 　 自组织 小岛的 ／ 量子阱白光发射 ＧａＮ ＩｎＧａＮ ＧａＮ 杨晓东 （ ， ） 厦门大学化学化工学院 福建厦门 ３６１００５ ， 。 摘要 成功地控制了自组织三维 ＧａＮ 小岛的外延生长 在其上面可形成多个非极性小面侧壁 以此作为一个理 　 ， ／ 。 （ ） 想的基底 在非极性小面上设计制备了 ＩｎＧａＮ ＧａＮ 多量子阱发光有缘层结构 通过透射电子显微镜 ＴＥＭ 制样 ， ， ／ 和微观结构分析 确定了 ＧａＮ 小岛的生长特性和小面形成特性 并利用阴极荧光光谱对 ＩｎＧａＮ ＧａＮ 多量子阱的 。 ， （ 、 ）， ， 发光特性进行比较和讨论 结果表明 单一小岛可有效实现混合白色发光 蓝色 绿色和红色 经过确认发现 半 ／ 。 ， 极性小面上的 ＩｎＧａＮ ＧａＮ量子阱结构为明亮多色发光的主要区域 进一步小面构成的量子阱结构控制 可有效 ， 。 地调整白光质量 并对新一代白光照明提供新的方向 ； ； ； ； ； 关键词 材料 ＧａＮ 岛 量子阱 微观结构 发光特性 白光 　 中图分类号 文献标识码 ： ／ Ｏ４３１．２ Ａ ｄｏｉ １０．３７８８ＣＪＬ２０１３４０．０４０６００２ 　 　　　 　 　　　 ／ ＳｅｍｉＰｏｌａｒＦａｃｅｔｅｄＩｎＧａＮ ＧａＮ ｕａｎｔｕｍＷｅｌｌｓｉｎ － 　 　 　 　 　 Ｑ ＳｅｌｆＯｒ ａｎｉｚｅｄＧａＮ ＩｓｌａｎｄｓｆｏｒＷｈｉｔｅＬｉｈｔＥｍｉｓｓｉｏｎ － ｇ