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第三十一讲短的金属-氧化物-半导体场效应晶体管续
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo - - 第三十一讲 “短的”金属 氧化物 半导体场效应晶体 （续） 11月18，2002 内容： 1. 短沟效应 （续） 阅读作业： P. K. Ko, “按比例缩小的途经。” 研讨会： 11 19 C. Stork T 100nm Rm. 34 101, 4 月 日， （ ）：对系统芯片器件的亚 工艺的发展。 － 下午 点。 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 主要问题 为什么开启电压取决于一个MOSFET 的栅长? V 为什么开启电压取决于一个MOFET 的 DS ? 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 1. MOSFET按比例缩小 V □ th 取决于L V x N th L ox A 理想地， 不取决于 ，它只取决于 和 。 L 如果 足够短，在沟道下的源和漏耗尽区开始交叠。 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 复杂的2D静电问题： ∆ V th 取决于横向静电学与纵向静电学的相对强度（“完整的静电态”）。 φ ∆ V s th L 栅对 的控制越强， 对 依赖越弱。 主要决定因素： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo x ∆ V ox th N ∆ V A th x L =喘 L − 2 0.7轉 x V j eff j th V = f (x ,N ) 这很糟糕！ 长MOSFET ： th
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