宽带隙半导体材料光电性能的测试 characteristics of optoelectronic measurement for wide band-gap semiconductor materials.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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宽带隙半导体材料光电性能的测试 characteristics of optoelectronic measurement for wide band-gap semiconductor materials

10.3969/j.issn.1003-353x.2011.11.001 宽带隙半导体材料光电性能的测试郭媛1 陈鹏1,2 孟庆芳1 于治国1 杨国锋1 张荣1郑有炓1 1.南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京210093； 2.南京大学扬州光电研究院，江苏扬州225009 摘要：主要通过光致发光的实验手段，研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN 多量子阱(InGaN/GaNMQW)有源层中的载流子复合机制，实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任何温度大功率激发条件下，自由激子的带边复合占主导地位，并且带边复合的强度随温度或激发功率的下降而减弱；在室温以下小功率激发条件下，局域化能级引入的束缚激子复合占主导地位，其复合强度随温度的下降而单调上升，随激发功率的下降而上升。带边复合在样品温度上升或者激发功率变大时发生蓝移，而局域的束缚激子复合辐射的峰值波长，随样品温度和激发功率的变化没有明显变化。光致发光;深能级；自由激子；束缚激子；多量子阱；蓝移 TN304.2 A 1003-353X (2011) 11-0817-04 CharacteristicsofOptoelectronicMeasurementforWide Band-GapSemiconductorMaterials Guo Yuan ChenPeng MengQingfangYuZhiguo YangGuofeng ZhangRongZhengYoudou 基金项目：国家重点基础研究发展规划(2011CB301900)；国家高技术研究发展规划(2009AA03A198)；国家自然科学基金60731160628, 60820106003)；江苏省自然科学基金(BK2008019， BK2010385,BK2009255,BK2010178)；南京大学扬州光电研究院研发基金(2008001) 2011年11月 819 @@[1] NAKAMURAS,MUKAIT,SENOHM. Candela-class high-brightness InGaN/AlGaN double-heterostructure blue-light-emittingdiodes[J]. ApplPhysLett,1994, 64(13):1687-1689. @@[2]孔令民，李鼎，张野芳，等.InGaN/GaN多量子阱的变温发光特性研究[J].半导体光电，2008，29 (6)：909～912. @@[3] PONCERA,BOURDP.Nitride-basedsemiconductors forblueandgreenlight-emittingdevices[J]. Nature, 1997,386(6623):351-369. @@[4] 徐志忠，徐科，秦志新，等.InGaN/GaN多量子阱 LED电致发光谱中双峰起源的研究[J].半导体学报，2007,28(7):1121-1124. @@[5] MERZC,KUNZERM,KAUFAMANNU,etal. Free andboundexcitonsinthinwurtziteGaNlayersonsaphire [J].SemiconductorScienceandTechnology,1996,11 (2):712-716. @@[6] SHEUJK,PANCJ,CHIGC,etal. White-light emission from InGaN-GaN multiquantum-w