对无氟底釉密着的探讨.pdf

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对无氟底釉密着的探讨

瞻茂,枇 者 ,庆 对无氟底釉密着的探讨 杭州搪瓷厂冯良 r7 f] 【摘 要】 拳文以无氟锑钼底釉勾研 究对象,针对底釉中去掉氧化物后 会使底釉密着不 良,我们进行7分折和讨玲。实验证明,适当@K2Off=Na20曩 配比,熔加Mo0。,熔加FeO3等方法能侥无氯鹿釉具有良好的密着效果 1 前 言 众所周知,氟蒸气是有毒气体,而现在用于生产的搪瓷底釉组成中,几乎都含有氟 或氟化物,这些物质在瓷釉的熔制和烧成过程中,有近兰分之一变成氟蒸气散发 出来, 严重危害人类的健康和污染社会环境。随着社会的不断进步和科学水平的不断发展,人 类对环墙保护的要求也 日益剧增,因此,无氟釉的研制并用于生产,将对改善工人的劳 动保护条件和环境卫生,促进社会进步起到积极的作用。 2 设计依据 在搪瓷底釉中,氟和氟化物主要有如下作用:熔制时促进配合科的熔化,降低烧成 温度,使瓷面光滑利于二次涂搪。 · 如果在底釉组成中去掉氟化物,势必会出现底釉熔制不彻底,底 釉 的 烧 成温度过 高,瓷面发沸等一系列问题,最终导致底釉密着性能较差。 从理论上分析,我们知道,氧和氟的离子半径大小相似,氟离子半径为1.36埃,氧 离子半径为1.4埃,因此当氟 f人瓷釉熔体中时,氟离子能够进人硅氧结掏代替SiO )中 的O ,由于F一是一1价,O 是 一2价,要达到电性中和,必须二个F一取 代一个0 , 这就意味着两个 三8i—F键取代一个三8i一0一si键,这样三8i—F键就会增多,使结构 疏橙,以8i—F作为终端造成断键即。 ● 『 I l 一 一 。一 i一+caF F一一 一O—Caz~_ O一 一F— f f J f (终端) (终端) 大型的硅氧聚合物被解聚成很多小的硅氧聚合物,这种解聚作用,使瓷釉的粘度下降, 熔体的流动性增大,促进了瓷釉熔体对金属的浸润性,对底釉与金属之间产生密着起到 了重要的作用。 由此,我们可以设想以某些氧化物代替氟化物,使麻釉对金属产生良好的密着。毒 中国搪瓷 第17拳第l期 l99辟 明 l7 文通过对有氟配方去氟后,进行了Bt0;、Naz0、Kz0、Fe:0。、MoO等氧化物的调整 实验,对无氟底釉进行研究和探讨。 我们知道,瓷釉中引入B:O 、NatO、KtO~IFeO。等物质都能 降低熔体的高温粘 崖,加速底釉与基材金属的反应,涎进密着。而M0O。既是密着剂又是表面活性剂,熔 加于瓷釉中,能降低表面张力,促进瓷釉对金属的浸润性,因而也就促进了密着。 3 实验配方表及结果 襄1 A母舍曩瘫 E方 名 称 lSiOIIBaOlAlIO3lNajOlKjOlSbjO3lMoO,lCuOlMno BIo,1CaFjI合计 组 成 150,79j0,73I5,0eJle,3q3,1150,911068J0.26j195}12,91I7,0 j10000 此配方为实验用熔加BaMoO。配方,按部颁耐冲击测试标准测试达网状。 襄2 C组实验配方 组

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