绘制硅单晶电阻率等值线的mapping技术 a mapping technique to draw resistivity isocontours for slice-of-silicon monocrystal.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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绘制硅单晶电阻率等值线的mapping技术 a mapping technique to draw resistivity isocontours for slice-of-silicon monocrystal.pdf

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绘制硅单晶电阻率等值线的mapping技术 a mapping technique to draw resistivity isocontours for slice-of-silicon monocrystal

第29卷第7期半导体学报 v01．29No．7 2008年7月 JOURNALOFSEMICONDUCToRS July，2008 A toDraw Isocontoursfor MappingTechniqueResistivity Slice-of-Silicon Monocrystal。 Sun Yicail”，Pan Weil，and Guofen91，YangMaofen91，YeZhangPen92 (1MicroelectronicInstitute，Hebei 300130，China) UniversityofTechnology，4可in (2 300192，China) InformationInstitute，n口njinAgricultureAcademy，Tianjin Abstract：A distributionwitha of3rambetweentest wasmeasuredonaslice-of．silicon resistivity space points monocrystal (diameter aninclined hasdeterminedthenumberof divisionsand 75ram)usingfour-pointprobe．Thispaper resistivity their statisticalmethodsandintroducedmathematicsto thedataintodifferentsets．after separationsby fuzzy place fuzzy the functionasa functionfor setsandsuitablevaluesof set exponent membership thresholds．One choosing fuzzy fuzzy toone isocontour．Then．thejsocontOUTScanbedrawnwithadefinite andfi, corresponds resistivity resistivity separation shownina withMATLAB．Thedeviationof dataonanisocontourissmallandtherearefewresidual nally map resistivity test withoutconnections．So，theconnectionoftheisocontoursare andusefulin forinstruc— po