改进型抗单粒子效应d触发器 improved d flip flop for see mitigation.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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改进型抗单粒子效应d触发器 improved d flip flop for see mitigation.pdf

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改进型抗单粒子效应d触发器 improved d flip flop for see mitigation

!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 改进型抗单粒子效应触发器 ! 赵金薇，沈鸣杰，程君侠（复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海） 200433 摘要：在对抗单粒子效应技术研究的基础上，构造了一种改进型的抗单粒子翻转和单粒子瞬变的主从型边沿触发器。该触发器在不影响设计流程的情况下能使得整个芯片都具有抗单 D D 粒子效应，并有效改善了以往由于引入抗辐射设计而导致芯片面积大幅度提高的问题。关键词：抗辐射加固；单粒子效应；单粒子翻转；单粒子瞬变；触发器 D 中图分类号：文献标识码：文章编号：（） TN43 A 1003-353X 2007 01-0026-03 Improved D Flip Flop for SEE Mitigation ZHAO Jin-wei ，SHEN Ming-jie ，CHENG Jun-xia （，，，） State Key Laboratory of ASIC System Fudan Uniuersity Shanghai 200433 China ：，， Abstract Based on SEU SET mitigation technigues an improved D fiip fiop which can be used for SEE mitigation was proposed . Then it was compared with other two D fiip fiops used in practice ，and find that the whoie chip using the D fiip fiop wiii not introduce errors because of singie event effect and can improve the area probiem . ：；；；； Key words radiation hardening SEE SEU SET D fiip fiop ［］单粒子瞬变效应 3-4 。 ! 引言抗单粒子效应技术的应用当数字电路应用在空间环境中时，空间辐射高能粒子会穿透到电路芯片的内部，并在穿透的路径实际设计的时候，为使发生单粒子效应的节点上产生电离，电路的节点可能会吸收电离产生的电不影响后级电路，往往通过电路级改进。本文提到子或空穴而改变原来自身的电平，产生多种辐射效的抗单粒子翻转、单粒子瞬变电路都属于这一类。应。这种辐射效应叫作单粒子效应（）。