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2017-08-10 发布于浙江
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2016JAP 辐照镍导致的位错演化

Evolution of dislocation loops in He ion irradiated nickel under different temperature H. C. Chen, R. D. Lui, C. L. Ren, H. F. Huang, J. J. Li, G. H. Lei, W. D. Xue, W. X. Wang, Q. Huang, D. H. Li, L. Yan, and X. T. Zhou Citation: Journal of Applied Physics 120, 125303 (2016); doi: 10.1063/1.4963344 View online: /10.1063/1.4963344 View Table of Contents: /content/aip/journal/jap/120/12?ver=pdfcov Published by the AIP Publishing Articles you may be interested in Engineering of boron-induced dislocation loops for efficient room-temperature silicon light-emitting diodes J. Appl. Phys. 97, 073512 (2005); 10.1063/1.1866492 Dislocation loop evolution in ion implanted 4H–SiC J. Appl. Phys. 93, 9395 (2003); 10.1063/1.1569027 Evolution of point defect clusters in pure iron under low-energy He + irradiation J. Appl. Phys. 89, 4752 (2001); 10.1063/1.1357785 Formation energies and relative stability of perfect and faulted dislocation loops in silicon J. Appl. Phys. 87, 8420 (2000); 10.1063/1.373557 Strain and defect microstructure in ion-irradiated GeSi/Si strained layers as a function of annealing temperature Appl. Phys. Lett. 73, 838 (1998); 10.1063/1.122018 Reuse of AIP Publishing content is subject to the terms at: /authors/rights-and-permissions. Download to IP: 09 On: Wed, 28 Sep 2016 01:09:52 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 120, 125303 (2016) Evolution of dislocation loops in He ion irradiated nickel under different temperature H. C. Chen,1,2 R. D. Lui,1 C. L. Ren,1 H. F. Huang,1 J. J. Li,1,2 G. H. Lei,1,2 W. D. Xue,1,2