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MMBFU310LT1G JFET Transistor ON （MMBFU310LT1G JFET晶体管）
MMBFU310LT1G
JFET Transistor
N−Channel
Features
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
2 SOURCE
3
MAXIMUM RATINGS GATE
Rating Symbol Value Unit
Drain−Source Voltage VDS 25 Vdc
1 DRAIN
Gate−Source Voltage VGS 25 Vdc
Gate Current IG 10 mAdc
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the 3
SOT−23 (TO−236AB)
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be CASE 318−08
assumed, damage may occur and reliability may be affected. 1
STYLE 10
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Total Device Dissipation FR−5 Board PD 225 mW
(Note 1)
MARKING DIAGRAM
T = 25°C 1.8 mW/°C
A
Derate above 25°C
Thermal Resistance, RJA 556 °C
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