固体能带结构及固体光谱.PDF

第四章 固体能带结构及固体光谱 Ge和二元化合半导体(例如GaAs)的能带示意图 (GaAs)的能带图 Γ点附近 直接带Ⅲ-Ⅳ族半导体在Γ点附近的能带结构 典型的半导体吸收光谱 波长(μm) 10-1 103 106 区 缘 线 ) 边 射 1 余 - 收 m 吸 剩 收 收 c 区 吸 吸 ( 收 收 收 子 质 数 吸 吸 吸 流 杂 系 本 子 子 载 收 基 激 流 由 吸 载 自 由 自 100 102 10-3 光子能量(eV) 典型的半导体的吸收光谱 激子光谱 第二节 带间跃迁的吸收与发射光谱 幂指数区：吸收系数随光子能量的变化为幂指 数规律. •1/2次方, 3/2次方, 平方律. •带尾态； 杂质态. 一、允许的直接跃迁 0K时，价带是满带，导带是空带。 •绝热近似：电子跃迁，原子核不动。 •单电子近似：忽略电子之间的耦合，一个光 子只和一个电子发生作用。 以价带顶为原点  请写出能量守恒和动量守 恒的式子，理解直接跃迁 E 的含义。 g E=0 E g 0 直接跃迁吸收系数的计算： a()  AW abn (E )n (E ) if i