CST丛书18算例30_芯片封装高速差分对SI和EMI分析.pdfVIP

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2017-07-22 发布于浙江
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CST丛书18算例30_芯片封装高速差分对SI和EMI分析

芯片封装高速差分对SI和EMI分析（丛书18 算例30） CST China Ltd. / 2014/7/17 1 芯片封装高速差分对SI及EMI CST China Ltd | | info@ 目录 1. 仿真概述 2. 芯片封装局部模型 3. 芯片封装完整模型 4. 比较总结 2 芯片封装高速差分对SI及EMI CST China Ltd | | info@ 1 仿真概述 3 芯片封装高速差分对SI及EMI CST China Ltd | | info@ 背景介绍数字化技术大大提高了电子产品的抗噪声能力，很长一段时期，电路设计工程师可以集中精力于电路的功能逻辑设计，互连通道被认为是理想的，不必考虑信号传输问题。随着电路速率的不断提高，芯片加工工艺的改进，互连通道对信号的影响越来越明显，信号的畸变甚至已经到了影响电路功能的实现的程度。芯片的三维封装技术，随着垂直互连工艺的发展也对信号完整性的分析带来的新的挑战。本算例中介绍一款完整芯片模型在CST微波工作室® 中分析高速差分对的信号完整性（SI）、眼图和辐射（EMI）的方法。 4 芯片封装高速差分对SI及EMI CST China Ltd | | info@ 仿真概述 • 第一部分，将Cadence中的APD文件直接通过微波工作室 ® 中的EDA模板导入芯片模型。展示了CST在EDA接口导入的便捷操作，便捷的裁剪芯片封装局部进行仿真能减少大量仿真时间、降低对硬件资源的需求。 5 芯片封装高速差分对SI及EMI CST China Ltd | | info@ 仿真概述 • 第二部分，将介绍如何对完整的芯片模型用CST进行全波仿真，本算例的完整芯片包含21层立体结构，各种走线、垂直过孔等上万个结构元素。充分展示了CST时域仿真在芯片封装等高速互连信号完整性分析等应用中的强大实力。 6 芯片封装高速差分对SI及EMI CST China Ltd | | info@ 算例描述本算例完整的芯片模型尺寸如下图所示: 7 芯片封装高速差分对SI及EMI CST China Ltd | | info@ 算例描述本算例的芯片模型进行仿真，包含22层立体结构，各种焊盘、垂直过孔等上万个结构元素，细节部分如下图所示： 8 芯片封装高速差分对SI及EMI CST China Ltd | | info@ 2 芯片封装局部模型仿真 9 芯片封装高速差分对SI及EMI CST China Ltd | | info@ 模板 • 完成模板创建 10 芯片封装高速差分对SI及EMI CST China Ltd | | info@ 导入芯片模型 • Import-2D/EDA Files-Cadence Allegro PCB/APD/SIP • 选择我们导入的是.mcm模型。 11 芯片封装高速差分对SI及EMI