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光激发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化Ⅱ.Al2O3膜应力测量与分析

第39卷 第10期 金属学跋 Vol·39No.10 Oct.2003 ACTAMETALLURGICASINICA PP-1060—1064 2003年10月1060—1064页 出 光激发荧光谱术分析Co—Cr—AI(Y)纳米涂层的氧化 II.A1203膜应力测量与分析 彭晓 王福会 (中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室,沈阳110016) D.R.Clarke ofCaliforniaatSanta of Barbara,CA93106—5050) (MaterialsDepartment,CollegeEngineering,University 摘 要 应力,获得如下结果: (1)残余应力随氧化温度升高而增大;(2)暂态氧化出现的区域应力值明显低于无暂态氧化的区域;(3) 两种涂层1000℃下形成的氧化膜中的残余应力相差不大,但在1100和1200℃下,含Y涂层形成的氧化膜中的残余应力比不 含Y中的高.对实验结果进行了分析. cr 关键词光激发荧光谱术,A1203,残余应力,磁控溅射CoAl(Y),纳米涂层 中图法分类号TGl74.444文献标识码 A 文章编号 0412—1961(2003)10一1060一05 PHoTo—STIMULATEDLUMINESCENCE ANA THEOXIDATIoNoF PIC L-YSISOF sPUTTERED Co-Cr—AI(Y)NANoco觚’INGS II.ResidualStressesandMechanicalBehaviorof Scale A1203 PENGXiao.wANGFuhui State LabforCorrosionandProtectionof ofMetal Chinese ofSciences Key Metals,InstituteResearch,TheAcademy 110016 Shenyang D.R.Clarke Materials of ofCaliforniaatSanta 93106—5050 Department,CollegeEngineering,University Barbara,CA Correspondent:PENG HundredTalents Chinese Sciences by of Supportedby“One Plan”sponsoredAcademy received2002—12—02.inrevisedform2003—03—24 Manuscript ofaluminascaleformedat 100and ABSTRACTResidualstresses 1000.1 1200℃on

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