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GD5511Y型InGaAs雪崩光电探测器GD5511Y InGaAs APD
44 中国电子科技集团公司第四十四研究所
China electronics Technology Group Corp.No.44 Research Institute
GD5511Y型InGaAs 雪崩光电探测器
GD5511Y InGaAs APD
产品特点 The features
— 正照平面型芯片结构 Top illumination planar APD
— 灵敏度高、可靠性高、增益高 High sensitivity,High reliability,High multiplication gain
— 光时域反射计、激光测距、激光告警和激光雷达等应用 OTDR, Laser range
finder,Laser alarming, RADAR,etc.application.
最大额定值 The absolute values
工作电压 0.99 工作温度 耗散功率
-50~+100℃ 100mW
×V
Operating voltage BR Operating temperature Power dissipation
正向电流 贮存温度 焊接温度(时间)
10mA -55~+125℃ 260℃(10s)
Forward current storage temperature Soldering temperature(time)
光电性能 The opto-eletronic characteritics (@Tc=22±3℃)
特性参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位
Parameters Sym. Test conditions Min Typ Max Unit
光谱响应范围
λ — 900~1700 nm
Response Spectrum
光敏面直径
φ — 500 μm
Active diameter
响应度
Re λ=1.55μm,φ=1μw, M=10 9.0 A/W
e
Reponsivity
最大可用增益
M λ=1.55μm,φ=1μw 20
max e
Maximum multiplication gain
响应时间
t f=1
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