4H-SiC MESFET新结构的特性研究 - 微电子学.PDF

第 卷第 期 微 电 子 学 , 45 3 Vol.45 No.3 年 月 2015 6 Microelectronics Jun.2015 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 4H-SiCMESFET新结构的特性研究 , 彭 沛 陈 勇 ( , ) 电子科技大学 微电子与固体电子学院 成都 610054 : 。 摘 要 提出了一种具有阶梯沟道和浮空金属板的新型 结构 在双凹型 4H-SiCMESFET 4H- , , SiCMESFET的栅漏之间加入浮空金属板 并引入阶梯沟道 减少了靠近漏端的栅边缘的电场积 , 。 , , , 聚 提高了击穿电压 对提出的结构进行二维数值模拟 结果表明 该结构的击穿电压达到 232V , , 相对于双凹型 4H-SiCMESFET的击穿电压 103V 提高了 125% 其饱和漏电流相对提高了 , , 。 , 4.1% 截止频率为15.1GHz最大振荡频率为69.2GHz 该结构在击穿电压提高125%时 没有 严重降低截止频率。 : ; ; 关键词 4H-SiC 金属半导体场效应晶体管 击穿电压 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN386.3 A 1004-3365201503-0404-04 Stud onCharacteristicsofaNewStructureof4H-SiCMESFET y , PENGPeiCHENYong ( , , , ) Schoolo Microelec.andSol.Elec.Univ.o Elec.Sci.andTechnol.o China Chendu610054 P.R.China f f f Abstract: ( ) Anovel4H-SiCmetalsemiconductorfieldeffecttransistorMESFET withste channe