GD5510Y型InGaAs雪崩光电探测器GD5510Y InGaAs APD.PDF

44 中国电子科技集团公司第四十四研究所 China electronics Technology Group Corp.No.44 Research Institute GD5510Y型InGaAs 雪崩光电探测器 GD5510Y InGaAs APD 产品特点 The features — 正照平面型芯片结构 Top illumination planar APD — 响应频率高、增益高 High operation frequency,High multiplication gain — 光时域反射计、激光测距、激光告警和激光雷达等应用 OTDR,Laser range finder,Laser alarming,RADAR,etc. application. 最大额定值 The absolute values 工作电压 0.99 工作温度 耗散功率 -50～+100℃ 50mW ×V Operating voltage BR Operating temperature Power dissipation 正向电流 贮存温度 焊接温度（时间） 10mA -55～+125℃ 260℃（10s） Forward current storage temperature Soldering temperature(time) 光电性能 The opto-eletronic characteritics （@Tc=22±3℃） 特性参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 Parameters Sym. Test conditions Min Typ Max Unit 光谱响应范围 λ — 900～1700 nm Response Spectrum 光敏面直径 φ — 200 μm Active diameter 响应度 Re λ=1.55μm,φe=1μw, M=10 9.0 A/W Reponsivity 最大可用增益 M λ=1.55μm,φ=1μw 20 max e Maximum multiplication gain 响应时间 t f=1MHz,R =50Ω 0.6 1.0 ns S L Response time 暗电流