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摘 要
钴酸镧系过渡金属氧化物半导体瓷具有负阻温特性，可串联在电路中有效抑
制浪涌电流。本试验选择钴酸镧为主晶相，研究r元素掺杂对系统性能的影响。
通过sr2+、Nd3。。、Ti4+离子掺杂进行A，B位取代及第二相的添加等工艺可以调整
材料的室温电阻率和改善材料常数B值。采用SEM，XRD等实验手段研究了掺
杂系统组成、结构与电学性能之间的关系，深入探讨了半导体载流子导电机理，
最后研究了烧结工艺对性能的影响。
本文详细讨论了st：+，Nd”掺杂对钙钛矿型钴酸镧性能的影响。sr”取代
La3+，使钴酸镧由n型半导体转变为P型半导体，降低r材料的电阻率，同时材
料常数也随之减小。Nd”少最掺杂同价取代A位La”，能有效增大室温电阻率
和B值。
本文还着重讨论r钛离子掺杂对钙钛矿型钴酸镧锶性能的影响，Ti4+取代
Co”，随之产生Co”，随Ti4+N度增大，Co”浓度增大，导致三方晶系向斜方晶
系继而向立方晶系的转变，同时激活能增人， B值和室温电阻率也随之增火。
在第一：相掺杂的系统研究中，重点研究r锡酸钴对系统性能的影响，发现烧
结体中有两种晶型，经分析为二方晶系和斜方晶系的钻酸镧锶，系统B值和室
温电阻率都有所提高，最后得到r较高室温电阻率，高温高B，低温低B的一系
列NTC热敏电阻。
关键词；钴酸镧；热敏电阻；钙钛矿；NTC
ABSTRACT
has
a cobMtoxide
ceramic lanthanum
Semiconductive
composition
comprising
inhibition
forrushcurrent
andisusable
characteristic
resistance—temperature
negative
To the
oxideasthe increase
cobalt
chooselanthanum
incircuit．I primarycomponent
weltto
p and theBvalueas as
value
resistance250e goodsintering
improve get
A
Ti4+intoandB
ironssuchasSP，Nd”and
introducedifferent
ceramicelements。J
second
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