InP材料Zn扩散的新方法pdf.PDF

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2017-08-05 发布于天津
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InP材料Zn扩散的新方法pdf

360 2009 3 (40) * InP Zn 1 2 1 谢生 , 陈朝 , 毛陆虹 ( 1. , 300072; 2. , 361005) : 为了在 InP 材料中获得精确的浅结扩散和 200WR A InP Zn 低的接触电阻, 同时防 InP 表面层分解, 提出了一种 , Zn 1 50nm SiO2 Zn 以Zn 膜作扩散源用快速热处理工艺进行Zn 扩散的 R P- 新方法实验结果表明, 该方法不仅可以获得约5 [7, 8] , N2 P , 18 - 3 10 cm 的空穴浓度, 而且扩散界面平坦无尖峰用 2 , Zn , SiO / SiNx / SiO2 和Al2 O3 图形掩膜制备的p-n 结二极管的 Zn/ InP N2 , 反向击穿电压分别为28 和37V, 进一步验证了扩散界 3L/ min N2 Zn, 面良好的电学特性 Zn 480 , Zn : ; ; -; - [ 9] 400 Zn , , 450 , 10 ~ : N305.4 : A 25minZn , HF ( n (40% HF) : 1001-9731(2009) 03-0360-02 4 2 n( 37. 5% NH F) = 11) SiO Zn 1 p-n , Zn SiO2 Zn ~ , = 75m 80nm SiO2 / 100nm SiNx , 140nm Al2 O3 , [ 10] [ 1~ 4] (PECVD) Zn , , Zn3P2 ( / ZnP2 ) Zn , Olympus Zn , , Bio-Rad PN4300WIN , C-V(ECV) InP InP , , Q 2 Zn pn InP [ 5] 3 Zn Zn Zn [ 6] [ 7] Zn