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四探针技术测量薄层电阻的原理及应用刘新福孙以材刘东升河北工业大学微电子技术研究所摘要对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述重点分析了常规直线四探针法改进范德堡法和斜置式方形法的测试原理并应用斜置式法研制成新型的四探针测试仪利用该仪器对样品进行了微区薄层电阻测量做出了样品的电阻率等值线图为提高晶锭的质量提供了重要参考关键词四探针技术薄层电阻测试技术中图分类号文献标识码文章编号引言许多器件的重要参数和薄层电阻有关在半导体工艺飞速发展的今天微区的薄层电阻均匀性和电特性受到了人们的广泛关注随着集成电路
四探针技术测量薄层电阻的原理及应用
刘新福，孙以材，刘东升
（河北工业大学微电子技术研究所）
摘要对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述，重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski 法的测试原理，并应用斜置式Rymaszewski 法研制成新型的四探针测试仪，利用该仪器对样品进行了微区（300μm×300μm）薄层电阻测量，做出了样品的电阻率等值线图，为提高晶锭的质量提供了重要参考。 关键词：四探针技术薄层电阻测试技术 中图分类号：TN304.07 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2004)07-0048-05
引言许多器件的重要参数和薄层电阻
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