铁电屏蔽理论！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ， ， ， ’ $### CDE(’4D(F+GH+I $### J ／ ／ （ ）／ ###?*$#$###’# #2#?#’ @:5@,AB=:@=4:@ $###:KLG(,KM(=D0( J 铁 电屏 蔽 理 论! 李景德 李智强 陆夏莲 沈 韩 （中山大学物理系，广州 ） !#$%! （ 年 月 日收到） ’ % 利用电极化的边界屏蔽近似，可计算出一些典型铁电单晶的自发极化强度 铁电屏蔽电荷处于表面束缚极化 ( 子偶状态；其产生和湮没要跨越位垒 由统计方法给出的一些常见晶体和陶瓷的四种典型电滞回线形状，和实验观 ( 察到的结果一致( ： ； !## %%)# %%*# 激发 此外，两个电子可构成一个化学键 一个化学 ( ( 整体边界近似 结构单元的双电子激发意味着折断或增加了一个 键，从而造成晶体结构的破坏 故可能最大的铁电自 ( 平衡态统计热力学采用理想气体近似；非平衡 发极化强度相应于单屏蔽电子的激发( 态统计热力学采用粗粒近似 这两种理论方法都默 ( 认了一个基本前提假设，即认为宏观体系的变化属 于马尔可夫过程 铁电性和许多电极化问题往往属 ( 于非马尔可夫过程，故传统的这些理论未必再能适 ［］ 用 这时，整体边界近似方法可以避开体系内部 ( 的复杂结构和过程( 图 （）的箭头表示样品有极化强度 若体系 + ,( 处于平衡态，则其外边界上必有面密度为 的正负 ! 屏蔽电荷，而且 正负电荷组成了电偶极子， ! -# 若将其视为体系的一个部份，则体系的平衡态整体 图 自发极化的屏蔽电荷 总电偶矩为零 对 切片单畴化铌酸锂和钽酸锂单 # $ ［］ $ 晶的测量表明，屏蔽电荷处于束缚极化子态 在 另一个方面，同一个表面上同号电荷之间有相 #