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TFTGLCD器件Al电极TFT特性研究-液晶与显示
第 卷 第 期 液晶与显示 ３２ ６ Vol．３２ No．６ ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y ２０１７ ６ Jun．２０１７ 文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１７０６Ｇ０４３３Ｇ０５ 器件 电极 特性研究 TFTＧLCD Al TFT * , , , , , , 张家祥 王彦强 卢 凯 张文余 王凤涛 冀新友 , , , , , 王 亮 张 洁 王 琪 刘 琨 李良杰 李京鹏 ( , ) 北京京东方光电科技有限公司 北京 １００１７６ : / / / . , , 摘要 本文对 MoAlMo作为 TFTＧLCD器件源 漏极的TFT特性进行了研究 与单层 Mo相比 存在沟道界面粗糙 , , , . , I 偏大问题 通过优化膜层结构 改善界面状态 得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性 增加 BottomMo的厚度 off ＋ , , ; , 可以有效减少 的渗透 防止 化合物的形成 得到界面平整的沟道 刻蚀后 处理对特性影响不大 增加刻 Al AlＧSi N SF ６ ; , , 蚀时间可以使 和 同时降低 沉积前处理气体 与 区别不大 都可以减少沟道缺陷 而增加 处理 I I PVX N ＋NH H H on off ２ ３ ２ ２ , , ; 时间会增强等离子的轰击作用 减少了沟道表面 AlＧSi化合物 但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加 采用 bottomMo ＋ ,
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