照明用发光二极管封装技术关键.pdfVIP

第23 卷, 总第133 期 5 节 能 技 术 6 Vol. 23, Sum.No. 133 2005 年9 月, 第5 期 ENERGY CONSERVATION TECHNOLOGY Sep. 2005,No. 5 照明用发光二极管封装技术关键 , , ( 河北理工大学轻工学院, 河北 唐山 063020) 随着制造技术的不断进步, 发光二极管越来越多地应 于照明领域是必然趋势。本文 综述了照明 发光二极管封装技术, 主要对散热、白光、测试、筛选、静电防护等关键技术进行阐述, 并提出了加快发展照明 发光二极管技术的建议。 发光二极管; 照明; 光通量; 封装 TN312+ 18 A 1002- 6339 ( 2005) 05- 0430- 02 En capsulat ion Technical K eys of illumin ation LED ZHANG Dong- chun, SUN Qiu- yan, ZHENG Ji- yu ( Light Industry College of Hebei Polytechnic University, Tangshan 063020, China) Abstract : It is a inevitable trend that LED is more and more used in the illumination field as the progress of manufacture technology. Encapsulation technology of illumination LED is summarized in the paper, including key technology, such as emanating heat, white light, test , filter and static prevent ion , etc. The advice that technology of illuminat ion LED should be developed is put forward in the paper . Key words: LED; illumination; luminous flux; en capsulation 半导体发光二极管( light - emitting diode) 简称 所用的外延材料采用MOCVD 的外延生长技术和多 LED, 从二十世 60 年代研制出来并逐步走向市场 量子阱结构, 虽然其外量子效率还需进一步提高, 但 化, 其封装技术也在不断改进和发展。由最早用玻璃 获得高光通量的最大障碍是芯片的取光效率低。现 管封装发展至支架式环氧封装和表面贴装式封装, 使 有的大功率LED 的设计采用了倒装焊新结构来提 得小功率LED 获得广泛的应用。从二十世 90 年代 高芯片的取光效率, 改善芯片的热特性, 并通过增大 开始, 由于LED 外延、芯片技术上的突破, 四元系Al2 芯片面积, 加大工作电流来提高器件的光电转换效 GaInP 和GaN 基的LED 相继问世, 实现了LED 全色 率, 从而获得较高的光通量。除了芯片外, 器件的封 112 化, 发光亮度大大提高, 并可组合各种颜色和白光 。 装技术也举足轻重。关键的封装技术工艺有 器件输入功率上有很大提高。目前单芯片 1W 大功 率LED 已产业化并推向市场, 这使得超高亮度LED 1 的应用面不断扩大, 由特种照明的市场领域, 逐步向 传统的指示灯型LED 封装结构, 一般是用导电 普通照明市场迈进。由于LED 芯片输入功率的不断