一种用于识别抛光硅晶片上影响成品率的较大缺陷的 - yms magazine.pdfVIP

特稿 一种用于识别抛光硅晶片上影响 成品率的较大缺陷的新方法 Kerem Kapkin、KeunSu Kim、Jason Saito、Hyosik Suh – KLA-Tencor Corporation Chung Geun Koh、Dae Jong Kim、Byeong Sam Moon、Seung Ho Pyi – Hynix Semiconductor Corporation 对于 纳米级的晶片，裸晶片检测技术的创新提高了大而浅缺陷的发现与分类能力。新的分类技术与多通道处理 45 相结合，使晶片生产商和 器件生产商能够发现这些缺陷，并根据其是否可以清除、是否需要报废晶片进行分类。 IC 在制造过程的早期识别这些缺陷有助于提高产品质量和成品率。 随着器件的尺寸不断缩小，晶片表面状况、缺陷尺寸、形 晶片生产商需要从大颗粒的背景分布中准确地检测、识 状和类型越来越成为影响器件成品率、性能和可靠性的重 别和分离这些缺陷，对其进行清洁或返工，避免不必 要因素。 （国际半导体技术蓝图）指南规定了尺寸相 要的晶片次品。此外，由于 是由各种晶片制造工 ITRS LLPD 当于设计规则一半的对裸晶片表面关键缺陷的灵敏度。 艺问题造成的，因此晶片生产商必须迅速地确定造成 LLPD 的根源并进行修复，防止不必要的晶片报废。 同时， 生产商已经在降低来料晶片验收时允许的缺陷 IC 总数，目前正在规定对大光点缺陷(LLPD) 数目的限制。 我们在本文中展示了一种采用新的无图形晶片检测系统 这些 LLPD 虽然大，但很浅：其宽度可能有几微米，但 Surfscan SP2XP 来对这些关键 LLPD 进行分类的方法。该 高度却只有几纳米。 是在单晶硅锭生长期间以及随 系统的必威体育精装版技术 （整体合成）和 （基于规则的 LLPD GC RBB 后的晶片制作和表面预处理过程中产生的。这些 以 分类）已经证实对晶片生产商的最终检测步骤和 器件 LLPD IC 小面凹坑或突起、气阱和抛光刮伤的形式表现在来料 生产IQC （来料质量控制）应用均有效果。 裸硅晶片上，很可能会成为影响成品率的缺陷。因此， IC 生产商就必须在开始器件加工之前识别并挑出存在 LLPD 的晶片。 Particle COP Residue Scratch 0.1µm 0.1µm 0.1µm 0.1µm 图 ：需要较高检测与分类灵敏度的常规缺陷或 （光点缺陷）。 1 LPD 2007 年夏 Yield Management Solutions | /ymsmagazine  特稿 晶片缺陷类型及其来源 影响器件成品率的常规小 （亚微米）缺陷包括微粒、 Large defects (~16µm) COP （晶体原生凹坑或微粒）、残留和刮伤，它们分别都 有各自的特点。图 是这些缺陷类型的示例图片。晶片上 1 的大微粒缺陷可能来源于传送污染、工艺设备或者超净 室的环境。其中有很多可以通过各种清洁工艺来清除。 的识别和特征分析更具挑战性。图 中显示了典 LLPD 2